一种高转换率太阳能电池及其制备方法和应用技术

技术编号:44547769 阅读:13 留言:0更新日期:2025-03-11 14:12
本发明专利技术公开了一种高转换率太阳能电池及其制备方法和应用。本发明专利技术将激光重掺杂后进行磷掺杂的那面镀一层碳化硅膜,使得PN结不受损伤,同时对硅片有良好的钝化效果,提高了转换效率。本发明专利技术在硅片表面形成碳化硅层,增强了硅片表面的耐高温性能和机械性能,延长了硅片的使用寿命;提高了硅片表面的抗腐蚀性能,增强了其在恶劣环境下的稳定性;减少了硅片表面的氧化反应,避免了其因氧化而导致的性能下降。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池,尤其涉及一种高转换率太阳能电池及其制备方法和应用


技术介绍

1、目前,太阳能电池是市场上主流的高效电池之一。其中,se-perc电池是在perc基础上增加的一道激光重掺杂技术(se)工序,实现了太阳能电池的选择性掺杂,将正面激光重掺杂技术(se)与细栅线相结合,提升了钝化效果,开路电压明显提升,提升了太阳能电池的转换效率。然而,在制备过程中,激光重掺杂技术要将磷扩散后的pn结进行重掺杂,重掺杂区域的氧化层容易受损,因此重掺杂部分pn结会暴露出来。在后续的抛光背面过程中,抛光液会侵蚀到正面pn结,导致电池转换效率下降。因此,亟需开发一种新的工艺来保护pn结不被抛光液侵蚀。


技术实现思路

1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

2、为此,本专利技术的实施例提出一种高转换率太阳能电池及其制备方法和应用。

3、第一方面,本专利技术提出了一种高转换率太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:

4、(a)将p扩散处理后的硅片进行激光重掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高转换率太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(a)中P扩散后硅片的方阻为100~140Ω/sq,结深为30~90nm;激光重掺杂后硅片的方阻为55~75Ω/sq。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(b)中形成碳化硅膜的过程包括以下步骤:

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,还包括:在600~900℃温度下泄压至常压,取出硅片。

5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述含碳有机物包括甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯中的一种或多种。

>6.如权利要求5所...

【技术特征摘要】

1.一种高转换率太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(a)中p扩散后硅片的方阻为100~140ω/sq,结深为30~90nm;激光重掺杂后硅片的方阻为55~75ω/sq。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(b)中形成碳化硅膜的过程包括以下步骤:

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,还包括:在600~900℃温度下泄压至常压,取出硅片。

5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述含碳有机物包括甲烷、乙烷、丙...

【专利技术属性】
技术研发人员:王立闯汪海军杨博董伟陈国军王玮刘杰李睿牛靖凯周颖杨斌王志泽张锦辉
申请(专利权)人:华能嘉峪关新能源有限公司
类型:发明
国别省市:

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