一种准两端SOT器件的数据写入方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种准两端SOT器件的数据写入方法及装置，所述方法包括：对目标器件进行擦除操作，使所述目标器件的所有磁隧道结变为初始态；对所述目标器件进行多次选择性写操作，使所述目标器件的目标磁隧道结变更状态实现目标数据的写入。所述装置用于执行上述方法。本发明专利技术实施例提供的准两端SOT器件的数据写入方法及装置，在降低选择的磁隧道结的写错误率的同时，平衡未选择的磁隧道结的误写入率，通过多次选择性写操作提高目标器件的选通性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种准两端自旋轨道矩(spin-orbittorque,简称sot)器件的数据写入方法及装置。

技术介绍

1、自旋轨道矩作为第三代磁随机访问存储器(magnetic random access memory，简称mram)的写入方案，具有高速、高耐久度等优势。

2、集成密度是限制sot-mram的另一关键问题，三端口结构意味着两晶体管控制，需要额外的面积冗余。准两端sot器件是优化sot-mram的存储单元面积的重要方案之一。准两端sot器件通过共享sot通道，形成准两端，极大程度减少晶体管数量。在准两端结构中，准两端sot器件通常需要两步操作实现多比特的数据写入，包括擦除操作和选择性写操作。其中，选择性写操作需要被选中的单元实现可靠地写入，而未被选择的写单元的数据不被干扰，即准两端sot器件的选通性要满足要求。然而，目前准两端sot器件的选通性远无法满足存储的应用需求。

技术实现思路

1、针对现有技术中的问题，本专利技术实施例提供一种准两端sot器件的数据写入方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种准两端SOT器件的数据写入方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多次选择性写操作中每次选择性写操作的参数相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多次选择性写操作对应的写电压相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多次选择性写操作为两次选择性写操作。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，第二次选择性写操作对应的写电压与第一次选择性写操作对应的写电压不相同。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

7.一种准两端SOT器件的...

【技术特征摘要】

1.一种准两端sot器件的数据写入方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多次选择性写操作中每次选择性写操作的参数相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多次选择性写操作对应的写电压相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多次选择性写操作为两次选择性写操作。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，第二次选择性写操作对应的写电压与第一次选择性写操作对应的写电压不相同。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，还包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昭昊，王旻，王宸逸，闫正杰，赵巍胜，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：