一种片上集成正负声光移频器及其制备方法技术

技术编号:44501233 阅读:37 留言:0更新日期:2025-03-04 18:10
本发明专利技术涉及一种片上集成正负声光移频器,属于光电子学技术领域。该移频器通过集成声光效应与模式转换技术,在单个芯片上实现了光信号的正负频率移动。具体而言,本发明专利技术利用压电材料层和光波导结构,结合第一声光移频单元和第二声光移频单元,分别产生固定的正移频和可调的负移频,通过调节负移频的频率,实现了光信号频率的连续可调。此外,还设置了模式滤波器以滤除因模式转换非理想性而产生的残余无用信号。本发明专利技术具有结构紧凑、性能稳定、调节灵活等优点,可广泛应用于光通信、光信息处理、光传感等领域,为光信号的频率控制提供了一种新的解决方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成声光移频器,特别是一种可实现正负移频的片上集成声光移频器及其制备方法。


技术介绍

1、实现光频率的移频是片上信号处理的重要一环,基于声光效应的移频具有移频效率高、结构简单等优点,得到广泛应用。传统的集成声光移频器技术主要基于声光光栅布拉格衍射原理,光束以一定角度入射,经过声光光栅后,产生0阶和±1阶衍射光,±1阶衍射光以一定角度出射,并分别产生正移频或负移频,这种方案只能实现单侧移频,即输出频率必须比输入频率高或低,而无法同时兼顾正负移频的需求。

2、专利技术专利cn102279479b中提出了一种集成声光移频器技术,利用ti扩散技术构建铌酸锂波导,与声表面波形成的光栅耦合实现移频,但这种技术对光场束缚能力弱,移频效率低,且只能产生单侧移频。为了提高移频效率,专利技术专利cn107065235a提出了一种基于氧化碲晶体体材料的声光移频器,但是基于体材料的声光移频器也只能产生单侧的固定移频,且功耗更高。文献(yama nicholas s,etal.advanced materials 2024,36.5:2305434.)本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种片上集成正负声光移频器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的片上集成正负声光移频器,其特征在于,所述第一声光移频器和第二声光移频器均包括光波导和叉指换能器(IDT),所述IDT设置于光波导的一侧,用于在施加微波调制信号时激发声波,与光波导中的光信号发生相互作用,实现模式转换和频率移动。

3.根据权利要求2所述的片上集成正负声光移频器,其特征在于,所述光波导同时支持模式1和模式2,且与所述IDT呈一定角度,所述第一声光移频器的IDT上施加的微波调制信号频率为f1,所述第二声光移频器的IDT上施加的微波调制信号频率为f2,f2为可调频率,所述第二声光移...

【技术特征摘要】

1.一种片上集成正负声光移频器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的片上集成正负声光移频器,其特征在于,所述第一声光移频器和第二声光移频器均包括光波导和叉指换能器(idt),所述idt设置于光波导的一侧,用于在施加微波调制信号时激发声波,与光波导中的光信号发生相互作用,实现模式转换和频率移动。

3.根据权利要求2所述的片上集成正负声光移频器,其特征在于,所述光波导同时支持模式1和模式2,且与所述idt呈一定角度,所述第一声光移频器的idt上施加的微波调制信号频率为f1,所述第二声光移频器的idt上施加的微波调制信号频率为f2,f2为可调频率,所述第二声光移频器的i...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴侃崔泽坤陈建平
申请(专利权)人:上海交通大学
类型:发明
国别省市:

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