一种低电阻TiN半导体薄膜及其制备工艺制造技术

本申请提供一种低电阻TiN半导体薄膜及其制备工艺，包括：将四氯化钛乙醇溶液加入至纤维素溶液中，搅拌后调节pH值至中性，加入聚乙烯吡咯烷酮搅拌10～30min后，得到前驱体溶液；将石英玻璃基片上滴加所述前驱体溶液进行镀膜，镀膜后放置在70～85℃进行反应10～20h，取出放置在‑10～‑2℃下进行冻融5～12h，得到中间基片；将所述中间基片放置在惰性气体氛围的管式炉中，通入氨气，开始程序升温至900～1000℃，并在该温度下保温1～2h后冷却，得到TiN半导体薄膜。本申请的低电阻TiN半导体薄膜，能够在制备过程中很好的控制氮化钛晶相的生长，使得半导体薄膜具有优异的导电性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及tin半导体薄膜，尤其涉及一种低电阻tin半导体薄膜及其制备工艺。

技术介绍

1、硬膜材料一般是用于提高基体表面的耐磨、耐腐蚀性能的膜层，如氮化物、碳化物、硼化物等薄膜材料。氮化钛(tin)薄膜具有高的硬度、耐磨损和抗腐蚀性能，是硬质合金刀具、模具表面的理想薄膜材料。在车刀、铣刀、钻头、轴承、齿轮、成型技术工具等工件上沉积tin薄膜，可提高工件的表面硬度、改善耐磨性能，其使用寿命和耐用度得到明显提高。tin薄膜不但在刀具、模具等工件上已有应用，而且在半导体领域的扩散障碍、光学膜以及装饰膜等方面也有广泛的用途。例如：tin用于太阳能吸收的光学膜、集成电路的扩散阻挡层等。

2、目前，薄膜的制备方法主要有物理气相沉积和化学气相沉积两大类。物理气相沉积是在真空条件下，利用热蒸发或辉光放电、弧光放电等物理过程，实现材料的迁移，并在零件基体表面上沉积形成薄膜的技术。物理气相沉积薄膜多采用溅射镀膜，但存在溅射设备复杂，需要真空系统及高压装置，沉积速度慢，成本高。化学气相沉积技术是利用气态的先驱反应，通过原子、分子间化学反应的途径生成固态薄膜的技术，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低电阻TiN半导体薄膜的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：

2.根据权利要求1所述的一种低电阻TiN半导体薄膜的制备工艺，其特征在于，所述四氯化钛乙醇溶液为将10～20mL的四氯化钛加入至120～200mL的无水乙醇中；

3.根据权利要求1所述的一种低电阻TiN半导体薄膜的制备工艺，其特征在于，所述聚乙烯吡咯烷酮和四氯化钛乙醇溶液的质量体积比为(0.5～1.2)g:(8～25)mL；

4.根据权利要求1所述的一种低电阻TiN半导体薄膜的制备工艺，其特征在于，所述镀膜过程中，匀胶机的转速为3000～4000rpm；>

5.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种低电阻tin半导体薄膜的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：

2.根据权利要求1所述的一种低电阻tin半导体薄膜的制备工艺，其特征在于，所述四氯化钛乙醇溶液为将10～20ml的四氯化钛加入至120～200ml的无水乙醇中；

3.根据权利要求1所述的一种低电阻tin半导体薄膜的制备工艺，其特征在于，所述聚乙烯吡咯烷酮和四氯化钛乙醇溶液的质量体积比为(0.5～1.2)g:(8～25)ml；

4.根据权利要求1所述的一种低电阻tin半导体薄膜的制备工艺，其特征在于，所述镀膜过程中，匀胶机的转速为3000～4000rpm；

5.根据权利要求1所述的一种低电阻tin半导体薄膜的制备工艺，其特征在于，所述惰性气体为氮气、氩气、氦气中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的一种低电阻tin半导体薄膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄益中，汪振，覃朋飞，范忠孝，简茂余，
申请(专利权)人：重庆鹰谷光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：