【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及探测器校准,具体为一种适用于宽温度范围的630nm硅基pin探测器校准方法和系统。
技术介绍
1、630nm硅基pin探测器是一种基于硅材料的光电探测器,工作波长为630nm。pin探测器是一种半导体探测器,由p型、i型(本征)和n型三个层次组成。其工作原理是,当光子进入探测器时,在i型层中产生电子-空穴对,在外加电场的作用下,这些电子和空穴被收集到p型和n型区域,从而产生电流信号。宽温度范围意味着该探测器能够在较大的温度范围内,例如从-40℃到85℃,也能工作。
2、在实际应用中,630nm硅基pin探测器通常与导波器一起工作,以增强光信号的传输效率和检测精度。然而,在探测器使用过程中,探测器和导波器不仅要应对目标光信号,还需要处理多种复杂的环境干扰和条件变化,这对探测器的性能提出了更高的要求。
3、首先,背景光干扰是一个不可忽视的问题。环境中的自然光、室内照明以及其他电子设备发出的杂散光,都会混入探测器接收到的光信号中。这些背景光干扰会导致信号噪声增加,从而影响探测器的检测精度和可靠性。如果不加
...【技术保护点】
1.一种适用于宽温度范围的630nm硅基PIN探测器校准方法,其特征在于:包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种适用于宽温度范围的630nm硅基PIN探测器校准方法,其特征在于:所述S1包括:
3.根据权利要求1所述的一种适用于宽温度范围的630nm硅基PIN探测器校准方法,其特征在于:所述S1还包括:
4.根据权利要求1所述的一种适用于宽温度范围的630nm硅基PIN探测器校准方法,其特征在于:所述S2包括:
5.根据权利要求1所述的一种适用于宽温度范围的630nm硅基PIN探测器校准方法,其特征在于:所述S3包
6...
【技术特征摘要】
1.一种适用于宽温度范围的630nm硅基pin探测器校准方法,其特征在于:包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种适用于宽温度范围的630nm硅基pin探测器校准方法,其特征在于:所述s1包括:
3.根据权利要求1所述的一种适用于宽温度范围的630nm硅基pin探测器校准方法,其特征在于:所述s1还包括:
4.根据权利要求1所述的一种适用于宽温度范围的630nm硅基pin探测器校准方法,其特征在于:所述s2包括:
5.根据权利要求1所述的一种适用于宽温度范围的630nm硅基pin探测器校准方法,其特征在于:所述s3包括:
6.根据权利要求1所述的一种适用于宽温度范围的630nm硅基pin探测器校准方法,其特征在于:所述s3还包括:
7.根据权利要求1所述的一种适用于宽温度范围的630nm硅基pin探测器校准方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗蔚,杨帆,邱开强,杨军,简茂余,范忠孝,
申请(专利权)人:重庆鹰谷光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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