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本申请提供一种低电阻TiN半导体薄膜及其制备工艺，包括：将四氯化钛乙醇溶液加入至纤维素溶液中，搅拌后调节pH值至中性，加入聚乙烯吡咯烷酮搅拌10～30min后，得到前驱体溶液；将石英玻璃基片上滴加所述前驱体溶液进行镀膜，镀膜后放置在70～8...
该专利属于重庆鹰谷光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆鹰谷光电股份有限公司授权不得商用。

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