一种具有辅沟槽栅极的半导体器件及其制作方法技术

本申请提供了一种具有辅沟槽栅极的半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：外延层，具有相对的第一表面和第二表面；位于所述第一表面内的多个主沟槽栅极，所述主沟槽栅极在第一方向依次间隔设置；相邻两个所述主沟槽栅极之间的所述第一表面内，具有多个依次排布的辅沟槽栅极；所述辅沟槽栅极的深度小于所述主沟槽栅极的深度。在相邻的主沟槽栅极之间设置辅沟槽栅极，提高了沟道的密度的同时，降低了相邻两个沟槽栅极之间的距离加强对沟槽栅极的控制，提高了等效载流子迁移率以及反型载流子浓度，进而降低了沟道电阻。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体领域，更具体的说，涉及一种具有辅沟槽栅极的半导体器件及其制作方法。

技术介绍

1、随着半导体行业的不断发展，越来越多的半导体材料被发现，其中，sic（碳化硅）材料由于其禁带宽度大、击穿电场高、电子迁移率速度快、热导率高等物理性质方面的优势，使基于sic制备半导体器件能在高温、高压、高频和抗辐射的环境工作。同时相较于传统的半导体器件具有更高的工作电压、更低的损耗以及更高的功率密度，因而逐渐成为市场的主流。但是基于sic制备的半导体器件，其内部的sic-sio2界面缺陷较多，使得其内部载流子迁移率较低。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供了一种具有辅沟槽栅极的半导体器件及其制作方法，方案如下：

2、本申请第一方面提供一种具有辅沟槽栅极的半导体器件，包括：

3、外延层，具有相对的第一表面和第二表面；

4、位于第一表面内的多个主沟槽栅极，主沟槽栅极在第一方向依次间隔设置；

5、相邻两个主沟槽栅极之间的第一表面内，具有至少一个辅沟槽栅极；辅沟槽栅极的深本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有辅沟槽栅极的半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，相邻两个所述主沟槽栅极之间，多个所述辅沟槽栅极的深度相同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，相邻两个所述主沟槽栅极之间，多个所述辅沟槽栅极的深度不完全相同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，相邻两个所述主沟槽栅极之间的距离是1μm~2μm；

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，主沟槽栅极底部的外延层内具有槽底保护结构，所述槽底保护结构的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相反。p>

6.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种具有辅沟槽栅极的半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，相邻两个所述主沟槽栅极之间，多个所述辅沟槽栅极的深度相同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，相邻两个所述主沟槽栅极之间，多个所述辅沟槽栅极的深度不完全相同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，相邻两个所述主沟槽栅极之间的距离是1μm~2μm；

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，主沟槽栅极底部的外延层内具有槽底保护结构，所述槽底保护结构的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相反。

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【专利技术属性】
技术研发人员：孙博韬，左元慧，张俊然，雷光寅，张清纯，
申请(专利权)人：复旦大学宁波研究院，
类型：发明
国别省市：