【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制备，具体涉及一种半导体薄膜外延生长的优化方法。
技术介绍
1、在半导体生产流程中，外延薄膜生长是半导体器件与芯片制造的重要工序之一，外延薄膜生长的均匀性是衡量薄膜质量的一个重要指标，厚度更均匀的外延薄膜可以生产出性能更好的半导体器件。
2、外延层的生长速率影响着外延片的生长效率，其变异系数是衡量外延层质量的一个重要指标，因此需要对这两个参数进行优化。传统的外延生长工艺优化大多采用试错法，这种方法严重依赖工作人员的经验，而且其时间成本和经济成本较高，同时会产生一些无法使用的废片，造成严重的浪费。随着数值模拟技术的发展，越来越多的研究人员将仿真技术应用到工艺优化中，以此来减少实验次数。然而，单纯的数值模拟虽然能够一定程度上的减少实验次数，同时也能对工艺参数进行一定的优化，但也比较依赖与研究人员的经验，同时得不到最优的工艺参数。将数值模拟与优化算法进行结合，不仅能够减少实验次数，同时还能够得到最优的工艺参数。
3、然而，目前的研究中，对于薄膜外延生长的仿真与优化研究较少，大多仍采取实验为主的优化方...
【技术保护点】
1.一种半导体薄膜外延生长的优化方法，其特征在于，具体步骤为：
2.根据权利要求1所述的半导体薄膜外延生长的优化方法，其特征在于，所述反应腔室结构为三维结构，反应腔室基于工业热壁卧式外延炉构建。
3.根据权利要求1所述的半导体薄膜外延生长的优化方法，其特征在于，所述仿真结果准确性的验证包括外延层生长速率的的验证与变异系数的验证。
4.根据权利要求3所述的半导体薄膜外延生长的优化方法，其特征在于，所述多目标优化是将使用支持向量回归得到的目标函数与工艺参数之间的函数模型导入多目标优化算法中寻优，即根据函数模型寻找目标函数的最优解，同时输...
【技术特征摘要】
1.一种半导体薄膜外延生长的优化方法，其特征在于，具体步骤为：
2.根据权利要求1所述的半导体薄膜外延生长的优化方法，其特征在于，所述反应腔室结构为三维结构，反应腔室基于工业热壁卧式外延炉构建。
3.根据权利要求1所述的半导体薄膜外延生长的优化方法，其特征在于，所述仿真结果准确性的验证包括外延层生长速率的的验证与变异系数的验证。
4.根据权利要求3所述的半导体薄膜外延生长的优化方法，其特征在于，所述多目标优化是将使用支...
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