一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件技术

技术编号:44483406 阅读:17 留言:0更新日期:2025-03-04 17:49
本发明专利技术提供一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。制备方法包括以下步骤:在硅基体的背面沿着远离硅基体的方向依次排布有隧穿氧化层、p+掺杂非晶碳化硅层和p+掺杂非晶硅层;在p+掺杂非晶硅层上形成间隔分布且贯穿p+掺杂非晶硅层的凹槽,然后在凹槽和p+掺杂非晶硅层的交界处形成沟道,将隧穿氧化层分隔为P区和N区,P区上排布有p+掺杂非晶碳化硅层和p+掺杂非晶硅层,N区上排布有p+掺杂非晶碳化硅层;进行晶化处理,使得位于P区上的p+掺杂非晶碳化硅层和p+掺杂非晶硅层分别转化为p+掺杂多晶碳化硅层和p+掺杂多晶硅层,N区上的p+掺杂非晶碳化硅层转化为n+掺杂多晶碳化硅层;进行后处理,得到太阳能电池。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏组件生产制造,具体涉及一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件


技术介绍

1、发射极和背面钝化电池(perc)技术是目前市场上的主流电池技术,目前量产的perc电池效率水平可以达到大约23.5%,但提升电池效率到24%以上难度较大。ibc电池(交叉背接触电池)由于正面没有遮光,电池效率可以做到24.5%以上,如果叠加钝化接触结构,效率可以做到26%以上,但目前ibc电池的制备工艺复杂,一直未成为现阶段的主流路线大规模量产。目前普遍认为perc的下一代电池技术为n型的隧穿氧化层钝化接触电池(topcon电池)或者异质结电池以及ibc电池技术。ibc电池技术可以叠加topcon或者异质结结构,如构建tbc背接触太阳能电池(topcon-ibc电池),结合了topcon技术的隧穿氧化层钝化接触以及ibc技术的叉指式背接触结构,能够进一步提高电池效率。目前的tbc电池技术多以沉积或者印刷掩膜+湿法刻蚀或者印刷浆料扩散的方式来制备,然而湿法刻蚀工艺复杂,印刷浆料或多或少会存在污染问题且同样工序复杂,导致电池效率难以提高。

<p>2、因此,如何简本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述隧穿氧化层、p+掺杂非晶碳化硅层和p+掺杂非晶硅层的形成方法分别独立地为等离子增强化学气相沉积法;

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述凹槽的形成方法包括:在所述p+掺杂非晶硅层的外表面形成第一掩膜层,依次进行图案化激光开窗和刻蚀处理;

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述凹槽的形成方法包括:在所述硅基体形成有所述凹槽的一侧表面上依次形成一层n+掺杂非晶硅层和第二掩膜层,依次进行图案化激光开窗...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述隧穿氧化层、p+掺杂非晶碳化硅层和p+掺杂非晶硅层的形成方法分别独立地为等离子增强化学气相沉积法;

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述凹槽的形成方法包括:在所述p+掺杂非晶硅层的外表面形成第一掩膜层,依次进行图案化激光开窗和刻蚀处理;

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述凹槽的形成方法包括:在所述硅基体形成有所述凹槽的一侧表面上依次形成一层n+掺杂非晶硅层和第二掩膜层,依次进行图案化激光开窗和刻蚀处理;

5.根据权利要求1-...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶晓亚陈阳李新岳刘楦赵艳陈海燕邓伟伟
申请(专利权)人:扬州阿特斯太阳能电池有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1