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本申请提供了一种具有辅沟槽栅极的半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：外延层，具有相对的第一表面和第二表面；位于所述第一表面内的多个主沟槽栅极，所述主沟槽栅极在第一方向依次间隔设置；相邻两个所述主沟槽栅极之间的所述第一表面内，具有多个依...
该专利属于复旦大学宁波研究院所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学宁波研究院授权不得商用。

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