一种多片式外延炉腔室结构制造技术

本发明专利技术涉及外延片生长技术领域，具体公开了一种多片式外延炉腔室结构，通过在大基座上设有若干个与之转动配合的小基座，然后再在每个小基座上放置有可以用于放置衬底原料生长外延片的托盘，并且大基座内还设有若干个气道结构，每个气道结构都对应驱动一个小基座转动，这样当生产外延片时，由于每个气道结构都能单独驱动其对应的小基座自转，当衬底放置在位于小基座上方的托盘上进行外延片生长时，所以能够同时实现多片外延片的同步生产，从而提高生产效率；并且每个小基座都由单独的气道结构供气驱动转动，所以能够保证每片外延片表面的温度和流场分布均匀，从而保证外延片的生长均匀度，进而提高生产质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及外延片生长，特别涉及了一种多片式外延炉腔室结构。

技术介绍

1、随着半导体行业的发展，对外延片的需求量也大大增加，同时对外延片的质量要求也逐渐提高，因此提高外延片生长效率及质量是一个重要发展趋势。目前外延生长多采用气相外延法，单片生产时多采用热壁水平卧式腔室，采用该种生产方式生产的外延片质量较为稳定；多片生产时则多采用温壁行星式腔室，这种方式能够同时生长多片外延片，但是由于该种生产方式的生产结构复杂，导致难以控制产品一致性。因此如何采用热壁水平卧式生长多片外延片是实现同时生长多片优质外延片的重要方向。

2、本申请所要解决的技术问题为：设计一款能够同时生长多片外延片的多片式外延炉腔室结构。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一款能够同时生长多片外延片的多片式外延炉腔室结构。

2、本专利技术所采用的技术方案为：一种多片式外延炉腔室结构，包括上加热环和与上加热环连接的下加热环，下加热环设有与之转动配合的大基座，大基座上设有若干个与之转动配合的小基本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多片式外延炉腔室结构，包括上加热环和与上加热环连接的下加热环，其特征在于，所述下加热环设有与之转动配合的大基座，所述大基座上设有若干个与之转动配合的小基座，每个所述小基座上均设有用于放置原料生长外延片的托盘，所述大基座内设有若干个气道结构，每个所述气道结构对应驱动一个小基座转动。

2.根据权利要求1所述的多片式外延炉腔室结构，其特征在于，所述气道结构包括若干位于大基座内部的纵向气道和与纵向气道连通的横向气道，所述横向气道内设有若干连通于大基座上表面的出气孔，所述气道结构还包括设于大基座底部的若干第一环形气流道，所述纵向气道与第一环形气流道连通。p>

3.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种多片式外延炉腔室结构，包括上加热环和与上加热环连接的下加热环，其特征在于，所述下加热环设有与之转动配合的大基座，所述大基座上设有若干个与之转动配合的小基座，每个所述小基座上均设有用于放置原料生长外延片的托盘，所述大基座内设有若干个气道结构，每个所述气道结构对应驱动一个小基座转动。

2.根据权利要求1所述的多片式外延炉腔室结构，其特征在于，所述气道结构包括若干位于大基座内部的纵向气道和与纵向气道连通的横向气道，所述横向气道内设有若干连通于大基座上表面的出气孔，所述气道结构还包括设于大基座底部的若干第一环形气流道，所述纵向气道与第一环形气流道连通。

3.根据权利要求1所述的多片式外延炉腔室结构，其特征在于，所述小基座的底部设有若干条形槽，所述条形槽在小基座的底部呈极轴阵列。

4.根据权利要求2所述的多片式外延炉腔室结构，其特征在于，所述下加热环分别设有若干个环形槽，所述大基座的底部对应环形槽分别设有若干个凸环，所述凸环与环形槽之间限位转动配合，所述第一环形气流道设于相邻凸环之间。

5.根据权利要求4所述的多片式外延炉腔室结构，其特征在于，所述下加热环设有若干第二环形气流道，所述第二环形气流道位于相邻两个环形槽之间，每个所述第二环形气流道均设有一个与之贯通的进气道，所述进气道与外界气源连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈佳枚，林逸，陈蛟，杨军伟，
申请(专利权)人：广州粤升半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：