【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶体,特别涉及了一种联动式多轴长晶炉。
技术介绍
1、现有的晶体生长炉,在进行晶体生产时,都是通过加热将原料在坩埚中熔化成溶液,然后再通过将头部贴附有籽晶的籽晶轴伸入到溶液中去进行旋转提拉,从而生长晶体,但是在现有的设备中,都是只有单个籽晶轴对应一个坩埚进行长晶生产,所以整个设备生产效率较低,无法实现高效率生产。
2、本申请所要解决的技术问题为:设计一款能够提高生产效率的联动式多轴长晶炉。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一款能够提高生产效率的联动式多轴长晶炉。
2、本专利技术所采用的技术方案为:一种联动式多轴长晶炉,包括真空腔体和坩埚系统,坩埚系统位于真空腔体的内部,坩埚系统包括坩埚以及若干位于坩埚内部的生长腔室,真空腔体的顶部设有贯穿于真空腔体顶部的籽晶轴系统,籽晶轴系统设有与之传动连接的传动机构,籽晶轴系统包括若干个籽晶轴,每个籽晶轴分别对应一个生长腔室。
3、在一些实施方式中,坩埚的底部设有与
...【技术保护点】
1.一种联动式多轴长晶炉,包括真空腔体和坩埚系统,所述坩埚系统位于真空腔体的内部,其特征在于,所述坩埚系统包括坩埚以及若干位于坩埚内部的生长腔室,所述真空腔体的顶部设有贯穿于真空腔体顶部的籽晶轴系统,所述籽晶轴系统设有与之传动连接的传动机构,所述籽晶轴系统包括若干个籽晶轴,每个所述籽晶轴分别对应一个生长腔室。
2.根据权利要求1所述的联动式多轴长晶炉,其特征在于,所述坩埚的底部设有与之传动连接的升降机构,所述升降机构包括包括升降轴和与升降轴传动连接的升降电机,所述升降轴的顶部与坩埚的底部连接。
3.根据权利要求1所述的联动式多轴长晶炉,其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种联动式多轴长晶炉,包括真空腔体和坩埚系统,所述坩埚系统位于真空腔体的内部,其特征在于,所述坩埚系统包括坩埚以及若干位于坩埚内部的生长腔室,所述真空腔体的顶部设有贯穿于真空腔体顶部的籽晶轴系统,所述籽晶轴系统设有与之传动连接的传动机构,所述籽晶轴系统包括若干个籽晶轴,每个所述籽晶轴分别对应一个生长腔室。
2.根据权利要求1所述的联动式多轴长晶炉,其特征在于,所述坩埚的底部设有与之传动连接的升降机构,所述升降机构包括包括升降轴和与升降轴传动连接的升降电机,所述升降轴的顶部与坩埚的底部连接。
3.根据权利要求1所述的联动式多轴长晶炉,其特征在于,所述坩埚内设有若干个稳流环,所述稳流环呈空心圆筒状,所述稳流环的内部形成生长腔室。
4.根据权利要求1所述的联动式多轴长晶炉,其特征在于,所述坩埚的侧壁内设有加热线圈和保温碳毡。
5.根据权利要求1所述的联动式多轴长晶炉,其特征在于,所述传动机构包括设于真空腔体顶部的支撑架、与支撑架转动连接的升降丝杆,所述升降丝杆设有与之螺纹传动的连接块,所述连接块与升降丝杆之间螺纹传动连接。
6.根据权利要求5所述的联动式多轴长晶炉,其特征在于,所述传动机构还包括设于真空腔体顶部的驱动电机,所述驱动电机设有与之传动连接的主传动杆,所述主传...
【专利技术属性】
技术研发人员:王全林,梁广锋,陈蛟,杨军伟,
申请(专利权)人:广州粤升半导体设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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