【技术实现步骤摘要】
本技术涉及碳化硅生产，特别涉及了一种提高籽晶轴稳定性的装置。
技术介绍
1、碳化硅作为第三代半导体材料，是功率半导体行业主要的进步发展方向，碳化硅可用于制作功率器件，能够有效提高电能利用率，且同时具有优越的物理性能，具有很广泛的应用前景。
2、生产碳化硅单晶目前有气相法、液相法等，在液相法生产过程中，需要利用石墨坩埚将原料熔融，然后在熔融态的原料中旋转提拉籽晶轴使之生成晶棒，但是在现有生产过程中，由于籽晶轴在高速转动时轴心会发生一定程度的摆动，但是如果温场对称轴与籽晶轴不同轴会引起晶体生长临界面的温度波动，从而造成生长速率浮动，进而影响碳化硅晶体的生长质量。
3、本申请所要解决的技术问题为：设计一款使籽晶轴在高速转动时能够保持稳定从而提高碳化硅晶体生长质量的装置。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种使籽晶轴在高速转动时能够保持稳定从而提高碳化硅晶体生长质量的装置。
2、本技术所采用的技术方案为：一种提高籽晶轴稳定性的装置，...
【技术保护点】
1.一种提高籽晶轴稳定性的装置，包括石墨坩埚(1)，其特征在于，所述石墨坩埚(1)设有安装槽(2)，所述安装槽(2)内侧壁设有限位凹槽(20)，所述安装槽(2)内设有与之限位配合用于防止籽晶轴(4)摆动幅度过大的限位圈(3)，所述限位圈(3)与籽晶轴(4)限位配合，所述限位圈(3)设有与之固定连接用于定位的定位凸块(30)，所述定位凸块(30)与限位凹槽(20)卡位配合。
2.根据权利要求1所述的提高籽晶轴稳定性的装置，其特征在于，所述限位圈(3)包括可分离式的左半环(31)和右半环(32)，所述左半环(31)和右半环(32)结构镜像设置。
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【技术特征摘要】
1.一种提高籽晶轴稳定性的装置，包括石墨坩埚(1)，其特征在于，所述石墨坩埚(1)设有安装槽(2)，所述安装槽(2)内侧壁设有限位凹槽(20)，所述安装槽(2)内设有与之限位配合用于防止籽晶轴(4)摆动幅度过大的限位圈(3)，所述限位圈(3)与籽晶轴(4)限位配合，所述限位圈(3)设有与之固定连接用于定位的定位凸块(30)，所述定位凸块(30)与限位凹槽(20)卡位配合。
2.根据权利要求1所述的提高籽晶轴稳定性的装置，其特征在于，所述限位圈(3)包括可分离式的左半环(31)和右半环(32)，所述左半环(31)和右半环(32)结构镜像设置。
3.根据权利要求2所述的提高籽晶轴稳定性的装置，其特征在于，所述限位圈(3)包括分别位于左半环(31)和右半环(32)上的限位条(310)，所述限位条(310)呈半圆形，所述限位条(310)与安装槽(2)限位配合。
4.根据权利要求3所述的提高籽晶轴稳定性的装置，其特征在于，所述限位条(310)设有若干与之固定连接的连接杆(311)，所述左半环(31)和右半环(32)沿其中一条连接杆(311)长度方向中心线镜像。
5.根据权利要求4所述的提高籽晶轴稳定性的装置，其特征在于，所述连接杆(311)设有与之固定连接的限位环(312)，所述限位环(312)呈半圆形，所述限位环(312)设有呈半圆形的限位凸台(...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎灏，梁广锋，陈蛟，
申请(专利权)人：广州粤升半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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