【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构、半导体结构的形成方法及电子设备。
技术介绍
1、车用三维距离成像系统通常具有高增益，高敏感度，高时间分辨率的性能指标需求。三维距离成像系统的光学传感器一种常见的表现形式为硅光电倍增管(sipm)，sipm由多个单光子雪崩二极管(spad)并联组成，通常每个spad单元独立串联一个淬灭电阻，阴极和阳极分别并联，一个阵列作为一个像素(pixel)输出信号，多个阵列可实现三维成像。三维距离成像系统对spad传感器高增益的需求，要求spad的过电压较高从而以获得更高的光子探测效率，然而过高的工作电压对器件的电学隔离/直流电阻(directive currentresistance，dcr)降低等需求提出了更高的挑战。
2、为了满足设计需求，多晶硅电阻(poly)层与深沟槽隔离结构(dti)之间通常会加高压。相关技术为了实现高压下poly与dti电学隔离，通常在衬底上沉积碳化硅和隔离层(dep sin and ox)，并在隔离层上形成多晶硅电阻层(poly)。然而，相关技术在有源区(a...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述预设高度阈值的大小与所述多晶硅电阻层的厚度成正比关系。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述预设高度阈值为500埃～1000埃。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构为至少两个，相邻两个所述浅沟槽隔离结构靠近所述第一表面的端部上形成有所述多晶硅电阻层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述深沟槽隔离结构远离所述第二表面的端部与所述第一表面之间的距离大于0。<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述预设高度阈值的大小与所述多晶硅电阻层的厚度成正比关系。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述预设高度阈值为500埃～1000埃。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构为至少两个，相邻两个所述浅沟槽隔离结构靠近所述第一表面的端部上形成有所述多晶硅电阻层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述深沟槽隔离结构远离所述第二表面的端部与所述第一表面之间的距离大于0。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述深沟槽隔离结构远离所述第二表面的端部与所述第一表面之间的距离为0.5um～2um。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述深沟槽隔离结构延伸至所述浅沟槽隔离结构，且所述深沟槽隔离结构远离所述第二表面的端部，与所述浅沟槽隔离结构远离所述多晶硅电阻层的端部相接触。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构为至少两个，所述浅沟槽隔离结构分布在所述深沟槽隔离结构的四周区域。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述深沟槽隔离结构位于相邻两个所述浅沟槽隔离结构之间，所述深沟槽隔离结构远离所述第二表面的端部，与相邻两个所述浅沟槽隔离结构远离所述多晶硅电阻层的端部相接触，且相邻两个所述浅沟槽隔离结构之间的距离小于或等于所述深沟槽隔离结构的宽度。
10.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括位于所述第二表面的限光槽，所述限光槽用于调整照射至所述第二表面的光量。
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述限光槽为倒三角形结构。
12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：
13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述从所述衬底的第一表面形成位于所述衬底内的浅沟槽隔离结构，包括：
14.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：张川，王志高，陈星，张宇清，王康杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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