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本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构、半导体结构的形成方法及电子设备，该半导体结构包括：衬底；从衬底的第一表面形成的浅沟槽隔离结构，以及从衬底的第二表面形成的深沟槽隔离结构；位于衬底中的至少两个有源区；形成于浅沟槽隔离结构靠近第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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