【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种真空吸嘴、一种键合设备、一种键合方法，以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、由于芯片键合的精度在纳米级别，因此任何一点细微参数的改变，都会造成极大的键合精度偏差。芯片键合的标准是通过相机拍摄芯片的标靶和晶圆的标靶来实现键合。为了在芯片键合过程中不产生气泡，一般采用球面吸嘴使芯片中心先接触待贴位置，然后释放芯片。然而即使同一批次芯片的标靶，在刻蚀过程中的位置差别也很大，如果只用一种球面高度的吸嘴来键合芯片，那么芯片标靶位置变化越大那么键合的精度就越低。
2、现有的球面吸嘴的球面高度均不可调，当更换芯片标靶位置度变化比较大时通常通过更换吸嘴，以匹配芯片标靶需要的球面高度。然而，该方法不但更换一致性较差，需要标定的时间也更长，对联合键合精度和效率产生不利影响，从而影响机台的实际产能。
3、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种真空吸嘴技术，用于适配多种不同标记位置的芯片的键合需求，以提升多种芯片的联合键合精度和效率，从而提升机台的实际产能。
【技术保护点】
1.一种真空吸嘴，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的真空吸嘴，其特征在于，所述本体被固定安装于一键合头，其中，
3.如权利要求2所述的真空吸嘴，其特征在于，所述伸缩部采用压电陶瓷，其第一端固定连接所述键合头，而其球面的第二端挤压所述蒙皮，并根据收到的电压，向靠近或远离所述蒙皮的方向伸缩，以调节所述吸附部的球面高度。
4.如权利要求3所述的真空吸嘴，其特征在于，所述真空吸嘴中还包括控制器，所述控制器被配置为：
5.如权利要求4所述的真空吸嘴，其特征在于，所述真空吸嘴中还包括3D相机，用于采集所述蒙皮的3D点云数据，...
【技术特征摘要】
1.一种真空吸嘴，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的真空吸嘴，其特征在于，所述本体被固定安装于一键合头，其中，
3.如权利要求2所述的真空吸嘴，其特征在于，所述伸缩部采用压电陶瓷，其第一端固定连接所述键合头，而其球面的第二端挤压所述蒙皮，并根据收到的电压，向靠近或远离所述蒙皮的方向伸缩，以调节所述吸附部的球面高度。
4.如权利要求3所述的真空吸嘴，其特征在于，所述真空吸嘴中还包括控制器，所述控制器被配置为：
5.如权利要求4所述的真空吸嘴，其特征在于，所述真空吸嘴中还包括3d相机，用于采集所述蒙皮的3d点云数据，以拟合所述吸附部的球形吸附表面，其中，所述控制器还被配置为：
6.如权利要求2所述的真空吸嘴，其特征在于，所述伸缩部的第一端连接一驱动部...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨猛，
申请(专利权)人：拓荆键科海宁半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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