【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种半导体结构、形成图案的方法和半导体存储装置。
技术介绍
1、在半导体制作工艺中，一些微结构的制造，需要在半导体基材/膜层、介电材料层或金属材料层等适当的基材或材料层中，利用光刻及蚀刻等制作工艺，形成具有精确尺寸的微小图案。
2、传统技术中，在目标材料层之上形成掩模层，以便先在所述掩模层中形成/定义这些微小图案，随后将所述等图案转移至目标膜层。
3、然而，随着集成电路的复杂化，这些微小图案的尺寸不断地减小，传统的形成微小图案的方法不能满足制作工艺需求。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种制备微小图案的半导体结构、形成图案的方法和半导体存储装置。
2、第一方面，本申请提供一种形成图案的方法，包括：
3、形成刻蚀目标层；
4、刻蚀所述刻蚀目标层，以形成环状预图案，所述环状预图案包括多条沿第一方向延伸、沿第二方向间隔排列的第一条状图案，以及多条沿第二方向延伸、沿第一方向间隔排列的第二条状图案，所述第一...
【技术保护点】
1.一种形成图案的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离层具有多个透光区域，多个所述透光区域交替排布在所述第二条状图案上方，且每个所述透光区域暴露出第一条状图案的一端，使所述目标图案的一端为第一边缘图形，另一端为第二边缘图形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述透光区域为圆形或椭圆形，所述第一边缘图形沿所述第一方向为内凹结构，所述第二边缘图形在第二方向上的宽度大于所述第一边缘图形的宽度，且所述第二边缘图形沿所述第二方向的两侧均为内凹结构。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种形成图案的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离层具有多个透光区域，多个所述透光区域交替排布在所述第二条状图案上方，且每个所述透光区域暴露出第一条状图案的一端，使所述目标图案的一端为第一边缘图形，另一端为第二边缘图形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述透光区域为圆形或椭圆形，所述第一边缘图形沿所述第一方向为内凹结构，所述第二边缘图形在第二方向上的宽度大于所述第一边缘图形的宽度，且所述第二边缘图形沿所述第二方向的两侧均为内凹结构。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述透光区域为椭圆形，且所述椭圆形两个焦点的连线与所述第一方向平行。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一条状图案包括第一端和第二端，沿第二方向，多个所述透光区域依次交替暴露所述第一条状图案的第一端和第二端。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。