【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种纵向gan hemt器件及其制备方法。
技术介绍
1、gan作为宽禁带半导体器件的代表之一，其高电子迁移率晶体管(high electronmobility transistor，hemt)使用的氮化镓(gan)或砷化镓(gaas)等材料，其电子迁移率高于传统的硅材料，具备低驱动损耗、低导通电阻、高工作频率的特点。gan hemt功率集成电路是采用氮化镓高电子迁移率晶体管技术制造的高效能功率管，在实际应用中，由于器件是厚外延，难以实现横向不同材料的厚外延。同时，栅极一般分布在器件中间而不容易进行深刻蚀。开关器件的纵向结构难以实现，而横向耐压能力直接影响器件尺寸，难以实现功率密度和耐压的兼具。
2、上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供了一种纵向gan hemt器件及其制备方法，旨在解决现有技术中开关器件的纵向结构难以实现功率密度和耐压的兼具的技术问题。
...【技术保护点】
1.一种纵向GaN HEMT器件，其特征在于，所述纵向GaN HEMT器件包括：纵向自下而上的漏极金属、n型沟道层、本征GaN层；
2.如权利要求1所述的纵向GaN HEMT器件，其特征在于，所述漏极金属的厚度与所述n型沟道层的厚度相同；
3.如权利要求2所述的纵向GaN HEMT器件，其特征在于，所述绝缘介质为凹型结构，所述栅极金属设置在所述绝缘介质的凹型结构中部；
4.如权利要求3所述的纵向GaN HEMT器件，其特征在于，根据纵向GaN HEMT器件的栅极导通电压将所述AlGaN中Al与GaN的比例设置为第一预设比例。
...【技术特征摘要】
1.一种纵向gan hemt器件，其特征在于，所述纵向gan hemt器件包括：纵向自下而上的漏极金属、n型沟道层、本征gan层；
2.如权利要求1所述的纵向gan hemt器件，其特征在于，所述漏极金属的厚度与所述n型沟道层的厚度相同；
3.如权利要求2所述的纵向gan hemt器件，其特征在于，所述绝缘介质为凹型结构，所述栅极金属设置在所述绝缘介质的凹型结构中部；
4.如权利要求3所述的纵向gan hemt器件，其特征在于，根据纵向gan hemt器件的栅极导通电压将所述algan中al与gan的比例设置为第一预设比例。
5.一种纵向gan hemt器件的制备方法，应用于如权利要求1-4任一项所述的纵向ganhemt器件的制备，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
【专利技术属性】
技术研发人员：冯开勇，王刚，杨光，
申请(专利权)人：无锡博通微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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