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本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种纵向GaN HEMT器件及其制备方法。该纵向GaN HEMT器件包括纵向自下而上的漏极金属、n型沟道层、本征GaN层；在本征GaN层内部与本征GaN层水平设置的AlGaN；在AlGaN的上端内部设置的...
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