【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、垂直led芯片因其低电压、高散热、耐大电流优势，广泛应用于特殊照明、投影仪、车灯等领域，但其工艺相对复杂。一般地，垂直led芯片的外延层形成在生长基板上，后续将生长基板激光剥离后需在外延层与生长基板相结合的一侧对外延层进行深刻蚀至暴露出下层的绝缘层并形成沟道，然而经过激光剥离后外延层表面往往会不平整，尤其是基于图形化衬底形成的外延层，外延层表面的不平整容易使得在深刻蚀外延层时，在沟道的底部或侧斜面形成不平整表面，在不平整的表面极容易吸附导电杂质，导致漏电。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种发光二极管及发光装置，以避免发光二极管发生p、n导通，导致漏电。
2、为了实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种发光二极管，发光二极管包括：
3、基板；
4、功能层，设置于基板上，功能层的表面上包括有第一区域和第二区域；
5、外延层，...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一挡墙的厚度d1的范围为0.1μm≤d1≤100μm；所述第一挡墙的厚度d1、所述电极与所述第一挡墙之间的间隔d2与所述外延层与所述第一挡墙之间的间隔d3的总和范围为1μm≤d1+d2+d3≤300μm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一挡墙、第二挡墙与所述外延层等高。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一挡墙的厚度d1的范围为0.1μm≤d1≤100μm；所述第一挡墙的厚度d1、所述电极与所述第一挡墙之间的间隔d2与所述外延层与所述第一挡墙之间的间隔d3的总和范围为1μm≤d1+d2+d3≤300μm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一挡墙、第二挡墙与所述外延层等高。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二挡墙包括设置于所述外延层的外围的第一部分及设置于所述电极的外围的第二部分。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第二挡墙的第一部分与所述第二挡墙的第二部分是连接的，以形成围合挡墙将所述外延层及所述电极包围至所述围合挡墙内，所述第一挡墙与所述第二挡墙连接。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一挡墙包括第一端和第二端，所述第一挡墙在所述电极与所述外延层之间沿所述第一端至所述第二端延伸，所述第一端与所述围合挡墙连接，所述第二端与所述围合挡墙连接。
8.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，位于每个电极外围的所述第二挡墙的第二部分与所述第一挡墙连接分别形成围合挡墙，以将所述电极围合于围合挡墙内，每个所述围合挡墙与所述第二挡墙的第一部分断开。
9.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第二挡墙的第一部分与所述第二挡墙的第二部分是连接的，以形成围合挡墙将所述外延层及所述电极包围至所述围合挡墙内，所述第一挡墙与所述第二挡墙不连接。
10.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述电极包括第一电极及第二电极，所述第一电极与所述外延层的第一半导体层电连接，所述第二电极与所述外延层的第二半导体层电连接，所述第二挡墙包括设置于所述外延层的外围的第一部分及设置于所述第一电极及所述第二电极的外围的第二部分，所述第二挡墙的第一部分与所述第二挡墙的第二部分连接形成围合挡墙，所述第一挡墙的两端分别与所述围合挡墙连接。
11.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述电极包括第一电极及第二电极，所述第一电极与所述外延层的第一半导体层电连接，所述第二电极与所述外延层的第二半导体层电连接，所述第一挡墙包括设置于所述第一电极与所述外延层之间的第一部分及设置于所述第二电极与所述外延层之间的第二部...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈功，臧雅姝，黄秀丽，于艳玲，曾炜竣，陈思河，张中英，蔡吉明，徐瑾，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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