【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及宽禁带半导体器件及其制备工艺。
技术介绍
1、gan(氮化镓)作为宽禁带半导体器件的代表之一，其hemt(high electronmobility transistor，高电子迁移率晶体管)器件结构具备低驱动损耗、低导通电阻、高工作频率的特点。
2、但是相比于其他宽禁带半导体器件，其横向结构难以兼具600v以上耐压和低导通损耗、低驱动损耗、高开关频率的特点，进而限制了宽禁带半导体器件在高压领域的应用。
3、上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种宽禁带半导体器件，旨在解决限制宽禁带半导体器件在高压领域的应用的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请提出一种宽禁带半导体器件，所述的宽禁带半导体器件包括：横向通孔的第一氮化铝镓层、纵向通孔的第二氮化铝镓层与纵向通孔的氮化镓层，所述氮化镓设置在所述第一氮化铝镓层与所述第二氮化铝镓层的中间层，所述横向通孔用于...
【技术保护点】
1.一种宽禁带半导体器件，其特征在于，所述的宽禁带半导体器件包括：横向通孔的第一氮化铝镓层、纵向通孔的第二氮化铝镓层与纵向通孔的氮化镓层，所述氮化镓设置在所述第一氮化铝镓层与所述第二氮化铝镓层的中间层，所述横向通孔用于引导电子横向流动，所述纵向通孔用于引导电子纵向流动；
2.如权利要求1所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述氮化镓层包括：P型氮化镓层与N型氮化镓层，所述N型氮化镓层位于所述氮化镓层的中间位置，所述P型氮化镓层包围所述N型氮化镓层。
3.如权利要求2所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述第一氮化铝镓层远离所述P型氮化镓层侧设置...
【技术特征摘要】
1.一种宽禁带半导体器件，其特征在于，所述的宽禁带半导体器件包括：横向通孔的第一氮化铝镓层、纵向通孔的第二氮化铝镓层与纵向通孔的氮化镓层，所述氮化镓设置在所述第一氮化铝镓层与所述第二氮化铝镓层的中间层，所述横向通孔用于引导电子横向流动，所述纵向通孔用于引导电子纵向流动；
2.如权利要求1所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述氮化镓层包括：p型氮化镓层与n型氮化镓层，所述n型氮化镓层位于所述氮化镓层的中间位置，所述p型氮化镓层包围所述n型氮化镓层。
3.如权利要求2所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述第一氮化铝镓层远离所述p型氮化镓层侧设置有第一氮化镓沟道层，所述第二氮化铝镓层与所述p型氮化镓层之间设置有第二氮化镓沟道层，所述第二氮化铝镓层背离所述p型氮化镓层设置有栅极金属，所述第一氮化铝镓层的一端设置有漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯开勇，王刚，杨光，
申请(专利权)人：无锡博通微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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