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本申请公开了一种宽禁带半导体器件及其制备工艺，涉及半导体技术领域，公开了宽禁带半导体器件，包括：横向通孔的第一氮化铝镓层、纵向通孔的第二氮化铝镓层与纵向通孔的氮化镓层，所述氮化镓设置在所述第一氮化铝镓层与所述第二氮化铝镓层的中间层，所述横向...
该专利属于无锡博通微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡博通微电子技术有限公司授权不得商用。

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