【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆清洗,尤其涉及用于晶圆清洗机的防污结构。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅;高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出形成圆柱形的单晶硅;硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后形成硅晶圆片,也就是晶圆;晶圆清洗机通常由清洗槽、喷淋系统、刷洗系统、干燥系统和控制系统等主要部分构成,清洗槽用于容纳清洗液和晶圆,喷淋系统通过高压喷嘴均匀喷淋清洗液,刷洗系统配备特制刷子对晶圆进行物理刷洗,干燥系统通过热风、红外线等方式迅速干燥晶圆,而控制系统负责整个清洗过程的自动化控制。
2、采用喷淋式晶圆清洗的喷淋大多为水平移动的喷淋臂实现药水向高速旋转的晶圆上喷淋,通过高速旋转的离心力将药水均匀分布至晶圆表面,相对于浸泡式清洗,喷淋所需药水少,且使用后的药水随着杂质飞出晶圆之外;但其仍旧忽略了药水飞溅至喷淋臂上的情况,极易造成二次污染,影响清洗效率;
3、针对上述的技术缺陷,现提出一种解决方案。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供用于晶
...【技术保护点】
1.用于晶圆清洗机的防污结构,包括设置于承载盘(2)上方的与机械臂末端相连接的喷淋组件,其特征在于,所述喷淋组件包括喷淋座(1),所述喷淋座(1)的上端依次安装有增高筒(4)和进液箱(5),所述喷淋座(1)的内底端开设有相垂直分布的直线隙(16)和弧线隙(17),所述进液箱(5)内安装有与直线隙(16)和弧线隙(17)交点对齐的若干进液管(18);所述承载盘(2)外环侧的外部设置有挡水组件,所述挡水组件包括与承载盘(2)水平对齐且内凹侧朝向内侧的挡水板(7),所述挡水板(7)的内凹侧开设有导向腔(13),所述导向腔(13)的内顶部为弧段而底部为平直段,所述挡水板(7)
...【技术特征摘要】
1.用于晶圆清洗机的防污结构,包括设置于承载盘(2)上方的与机械臂末端相连接的喷淋组件,其特征在于,所述喷淋组件包括喷淋座(1),所述喷淋座(1)的上端依次安装有增高筒(4)和进液箱(5),所述喷淋座(1)的内底端开设有相垂直分布的直线隙(16)和弧线隙(17),所述进液箱(5)内安装有与直线隙(16)和弧线隙(17)交点对齐的若干进液管(18);所述承载盘(2)外环侧的外部设置有挡水组件,所述挡水组件包括与承载盘(2)水平对齐且内凹侧朝向内侧的挡水板(7),所述挡水板(7)的内凹侧开设有导向腔(13),所述导向腔(13)的内顶部为弧段而底部为平直段,所述挡水板(7)底部平直段的外侧与承载盘(2)的外侧具有排水间隙。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗机的防污结构,其特征在于,所述喷淋座(1)为扇形状且底部与承载盘(2)具有间隙,所述喷淋座(1)的上方安装有套接至进液管(18)底端外部的封盖(3),所述进液管(18)贯穿进液箱(5)、增高筒(4)与封盖(3)相连接。
3.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗机的防污结构,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:林邦羽,翁鑫晶,
申请(专利权)人:立川无锡精密设备有限公司,
类型:新型
国别省市:
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