【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆清洗，尤其涉及具有交替清洗结构的晶圆清洗机。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，硅晶棒在经过研磨、抛光及切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
2、而晶圆表面在不断被加工成型及抛光处理的过程中，会与各种有机物、粒子及金属接触并产生污染物，为了避免晶圆上残留的污染物对后续工艺造成不良影响，会在两次加工工艺之间对晶圆片进行清洗。
3、常见的晶圆清洗设备在对晶圆进行清洗方式通常分为两种，第一种是先对晶圆片一起浸洗，然后再利用超声波对其进行混合清洗，第二种是对晶圆片一一进行冲洗与清理，第一种方式由于是大量晶圆片同时混合清洗，而晶圆片在相互贴合或者与清洗框贴合的过程中会存在清洗死角，清洗死角的污染物无法充分被清洗，后者虽然污染物去除效果较好，但是单个清洗的方式、效率较差，因此亟需一种具有能够同时对多组晶圆片进行针对性清洗，且污染物去除效果较好的晶圆清洗机。
技术实现思路<...
【技术保护点】
1.具有交替清洗结构的晶圆清洗机，包括超声波清洗箱（1），所述超声波清洗箱（1）的上端外表面设置有箱盖（2），且超声波清洗箱（1）的前端外表面靠近底端的位置设置有控制板（3），其特征在于，所述超声波清洗箱（1）的上端外表面开设有清洗腔（4），且超声波清洗箱（1）的一侧外表面靠近底端的位置设置有表面安装有控制阀的排水管，所述排水管与清洗腔（4）相通；
2.根据权利要求1所述的具有交替清洗结构的晶圆清洗机，其特征在于，所述限位机构（7）包括对晶圆片固定的两组限位辊（701）；两组所述限位辊（701）的外表面均设置U型架（702），所述限位辊（701）设置有U型...
【技术特征摘要】
1.具有交替清洗结构的晶圆清洗机，包括超声波清洗箱（1），所述超声波清洗箱（1）的上端外表面设置有箱盖（2），且超声波清洗箱（1）的前端外表面靠近底端的位置设置有控制板（3），其特征在于，所述超声波清洗箱（1）的上端外表面开设有清洗腔（4），且超声波清洗箱（1）的一侧外表面靠近底端的位置设置有表面安装有控制阀的排水管，所述排水管与清洗腔（4）相通；
2.根据权利要求1所述的具有交替清洗结构的晶圆清洗机，其特征在于，所述限位机构（7）包括对晶圆片固定的两组限位辊（701）；两组所述限位辊（701）的外表面均设置u型架（702），所述限位辊（701）设置有u型架（702）的内部，且u型架（702）一侧外表面靠近中部的位置设置有电动推杆二（703），所述电动推杆二（703）的一端与u型架（702）固定连接，另一端与清洗腔（4）固定连接。
3.根据权利要求2所述的具有交替清洗结构的晶圆清洗机，其特征在于，所述冲洗组件（8）包括用于驱动限位辊（701）转动的电机一（801），两组所述u型架（702）的一侧外表面均设置防水盒，且电机一（801）设置于防水盒的内部，所述电机一（801）的输出端贯穿u型架（702）的内部并与限位辊（701）固定连接，且限位辊（701）的内部开设有导流腔（804），所述限位辊（701）远离电机一（801）的一端转动连接有连接管一（802），且u型架（702）外表面与连接管一（802）对应的位置固定连接有连接管二（803），且连接管一（802）、连接管二（803）以及导流腔（804）三者相通。
4.根据权利要求3所述的具有交替清洗结构的晶圆清洗机，其特征在于，所述清洗腔（4）的底部设置有输出端与两组连接管二（803）连接的第一水泵，且连接管二（803）为软管，所述限位辊（701）外表面等距离开设有若干组弧形槽（805），每组所述弧形槽（805）内表面靠近导流腔（804）的一侧等距离设置有三组喷头一（806）。
5.根据权利要求1所述的具有交替清洗结构的晶圆清洗机，其特征在于，所述清理组件（9）包括沿清洗腔（4）内部移动的滑板（901），所述滑板（901）的一侧外表面靠近一端的位置开设有螺纹孔，...
【专利技术属性】
技术研发人员：林邦羽，翁鑫晶，
申请(专利权)人：立川无锡精密设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。