一种芴乙烯基吡咯并吡咯二酮化合物及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种芴乙烯基吡咯并吡咯二酮化合物，其具有通式(I)的结构，其中R代表任选地被卤素取代的C<subgt;1</subgt;‑C<subgt;12</subgt;烷基或C<subgt;1</subgt;‑C<subgt;6</subgt;烷氧基C<subgt;6</subgt;‑C<subgt;12</subgt;芳基C<subgt;1</subgt;‑C<subgt;6</subgt;烷基。本发明专利技术还涉及一种制备通式(I)的化合物的方法。本发明专利技术的制备方法简单高效且条件温和且本发明专利技术通式(I)的芴乙烯基吡咯并吡咯二酮化合物在有机半导体领域有巨大应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机化学合成，具体涉及一种芴乙烯基吡咯并吡咯二酮化合物及其制备方法。

技术介绍

1、由于有机半导体材料较低的成本、较轻的重量和易调谐的光电特性，以及材料来源丰富、可溶液处理加工、塑料衬底兼容性好等特点，因此，其研究开发对于推动信息、能源、医疗、国防等领域发展具有重要战略意义。

2、吡咯并吡咯二酮(dpp)类材料是目前应用广泛的一类有机半导体材料。这类材料具有光热稳定性好、低带隙、吸收光谱范围较广以及荧光量子产率高等特点，可广泛应用于有机场效应晶体管、有机太阳能电池、有机发光二极管以及生物荧光探针等领域。

3、因此，人们一直期望通过简单高效的合成方法得到新型吡咯并吡咯二酮类化合物。

技术实现思路

1、鉴于此，第一方面，本专利技术提供一种芴乙烯基吡咯并吡咯二酮化合物，其具有通式(i)的结构：

2、

3、其中r代表任选地被取代的烷基、环烷基、环烷基烷基、芳基或烷氧基芳基烷基；

4、优选地，r代表c1-c12烷基、c3-c12环烷基、c6-c1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.芴乙烯基吡咯并吡咯二酮化合物，其具有通式(I)的结构：

2.根据权利要求1所述的化合物，其中，

3.一种制备权利要求1或2所述的化合物的方法，其包括以下步骤：(1)在30-80℃的温度下并在哌啶的存在下，将式(a)的化合物

4.根据权利要求3所述的方法，其中在步骤(2)中，所述氧化试剂的用量为1-10当量，优选2-8当量，最优选4-6当量，基于式(b)的化合物的量计。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中在步骤(2)中，反应温度为10-50℃，更优选12-45℃。

6.根据权利要求3或4所述的方法，其中在步骤(2)中，反应...

【技术特征摘要】

1.芴乙烯基吡咯并吡咯二酮化合物，其具有通式(i)的结构：

2.根据权利要求1所述的化合物，其中，

3.一种制备权利要求1或2所述的化合物的方法，其包括以下步骤：(1)在30-80℃的温度下并在哌啶的存在下，将式(a)的化合物

4.根据权利要求3所述的方法，其中在步骤(2)中，所述氧化试剂的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高广鹏，王瑞欣，陈慧芷，杨浦曦，王衍军，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：