具有高金属凸块和超薄基板的半导体封装及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装件和用于制造多个半导体封装件的方法，其中，所述半导体封装件包括半导体基板、多个接触垫、多个金属凸块、金属层以及模塑封装。半导体衬底的厚度小于35微米。第一种方法包括提供器件晶圆的步骤；附接第一载体；应用细化工艺；形成金属层；粘贴第一条胶带；移除第一载体；应用第一分割工艺；撕掉第一条胶带；连接第二载体；形成模塑封装；移除第二载体；形成多个金属凸块；粘贴第二条胶带；以及应用分割工艺并移除第二胶带。第二种方法包括提供器件晶圆的步骤；连接载体；应用细化工艺；形成金属层；形成模塑封装；移除载体；形成多个金属凸块；并应用分割工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及一种具有小于35微米的薄半导体衬底的半导体封装以及制造多个半导体封装的方法。更具体地，本专利技术涉及一种具有高金属凸块的半导体封装件。

技术介绍

1、芯片级封装(csp)管芯通常需要通过使用倒装芯片工艺连接至印刷电路板(pcb)，包括毛细管底部填充(cuf)组装工艺和模压底部填充(muf)组装工艺。muf组装工艺因其生产率高、成本较低、可靠性高等优点而更受欢迎。管芯和pcb之间的间隙(金属凸块或焊料凸块的高度)优选为至少40微米，以便有利于改善化合物填充。高金属凸块或高焊料凸块(至少40微米)通常需要较厚的半导体衬底(大于50微米)，以避免在半导体衬底背面研磨时产生晶圆裂纹。

2、本公开的优点包括抑制焊桥问题、改进的结构强度、低翘曲(在25摄氏度下小于10微米并且在245摄氏度下小于40微米)以及半导体封装产品的更高良品率。

技术实现思路

1、本专利技术公开一种半导体封装件，包括一个半导体基板、多个接触垫位于半导体基板前面、多个至少35微米高的金属凸块形成在多个接触垫上、半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述金属层的厚度大于10微米，所述模塑封装直接接触半导体基板的多个侧面以及金属层的多个侧面。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑封装还直接接触所述钝化层位于半导体衬底边缘的多个侧表面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个金属凸块中的每个金属凸块包括相应的铜部分以及在相应的铜部分上方的相应的锡银部分。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个金属凸块的底表面和所述多个铝焊盘的顶表面共面。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述金属层的厚度大于10微米，所述模塑封装直接接触半导体基板的多个侧面以及金属层的多个侧面。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述模塑封装还直接接触所述钝化层位于半导体衬底边缘的多个侧表面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个金属凸块中的每个金属凸块包括相应的铜部分以及在相应的铜部分上方的相应的锡银部分。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个金属凸块的底表面和所述多个铝焊盘的顶表面共面。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述其中金属层的厚度小于10微米，所述半导体基板的多个侧面以及金属层的多个侧面未被所述模塑封装覆盖。

7.一种制造多个半导体封装的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，减...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕琳，杨震，周曙华，王隆庆，
申请(专利权)人：万国半导体国际有限合伙公司，
类型：发明
国别省市：