【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域;更具体地,本申请涉及压力检测装置、真空系统及晶圆减薄设备。
技术介绍
1、随着半导体制造领域的发展,芯片封装需要更薄的晶圆以减小封装尺寸和厚度,并且较薄的晶圆有利于热量的散发,降低芯片在工作过程中的温度。晶圆减薄工艺指在晶圆背面采用机械或化学机械方式进行研磨,在减薄过程中,需要严格控制晶圆的平整度和厚度以确保晶圆的质量和性能。
2、在晶圆减薄设备对晶圆的研磨过程中,通过利用真空吸附力将晶圆固定在卡盘工作台上,以确保在研磨过程中晶圆的稳定性。为了能确保晶圆被有效地吸着在卡盘工作台上,需要检测晶圆减薄设备的真空系统的真空度,监测真空系统中的压力变化。
技术实现思路
1、有鉴于此,本申请提供一种压力检测装置、系统及设备,从而解决或者至少缓解现有技术中存在的上述问题或其它方面的问题中的一个或多个。
2、为了实现前述目的,本申请的第一方面提供了一种压力检测装置,所述压力检测装置用于检测晶圆减薄设备的真空系统的压力变化,其中,所述压力检测装置包括压力传
...【技术保护点】
1.一种压力检测装置,所述压力检测装置用于检测晶圆减薄设备的真空系统的压力变化,其特征在于,所述压力检测装置包括压力传感器(16)和压力传感器管路(19),所述压力传感器管路(19)的第一端连接于所述压力传感器(16),所述压力传感器管路(19)的第二端用于连接所述真空系统的流体管路(11)。
2.如权利要求1所述的压力检测装置,其特征在于,所述压力传感器(16)为膜片式压力传感器。
3.如权利要求1或2所述的压力检测装置,其特征在于,所述压力传感器(16)通过节流器(17)连接至所述压力传感器管路(19)的第一端。
4.如权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种压力检测装置,所述压力检测装置用于检测晶圆减薄设备的真空系统的压力变化,其特征在于,所述压力检测装置包括压力传感器(16)和压力传感器管路(19),所述压力传感器管路(19)的第一端连接于所述压力传感器(16),所述压力传感器管路(19)的第二端用于连接所述真空系统的流体管路(11)。
2.如权利要求1所述的压力检测装置,其特征在于,所述压力传感器(16)为膜片式压力传感器。
3.如权利要求1或2所述的压力检测装置,其特征在于,所述压力传感器(16)通过节流器(17)连接至所述压力传感器管路(19)的第一端。
4.如权利要求3所述的压力检测装置,其特征在于,在所述压力传感器管路(19)中设置有过滤器(18),所述过滤器(18)位于所述压力传感器管路(19)的第二端和所述节流器(17)之间。
5.如权利要求3所述的压力检测装置,其特征在于,所述节流器(17)具有流体进口(25)和流体出口(26),所述流体进口(25)和所述流体出口(26)通过节流孔(22)连通,所述节流孔(22)的孔径小于所述流体进口(25)且小于所述流体出口(26),所述节流孔(22)用于节制流体的流量,所述流体进口(25)连接于所述压力传感器管路(19)的第一端,所述流体出口(26)连接于所述压力传感器(16)。
6.如权利要求5所述的压力检测装置,其特征在于,所述节流器(17)具有一个或多个所述节流孔(22),并且所述节流孔(22)相对于所述流体进口(25)和所述流体出口(26)偏心设置。
7.如权利要求5所述的压力检测装置,其特征在于,所述节流器(17)具有多个所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:李小娟,赵德文,付永旭,靳凯强,刘远航,
申请(专利权)人:华海清科股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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