一种单粒子翻转加固的磁随机存储器读取电路制造技术

本发明专利技术公开一种单粒子翻转加固的磁随机存储器读取电路，属于非易失性存储器领域。在传统的6T读取电路上的基础上增加互锁的晶体管，同时引入PMOS管和NMOS管，可以有效地纠正单粒子翻转效应引起的错误。本发明专利技术有以下优点：考虑了单粒子效应敏感节点，加固方法不存在“0”翻转节点，同时“1”翻转可以快速纠正，抗单粒子翻转能力更强，可用于空间辐射环境下数据的可靠存储。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性存储器，特别涉及一种单粒子翻转加固的磁随机存储器读取电路。

技术介绍

1、磁随机存储器靠磁场来存储数据，存储单元由自由磁层、隧道栅层、固定磁层组成。自由层与固定层的磁场方向平行时，存储单元呈现低电阻，反之呈高电阻，通过检测存储单元电阻的高低，即可判断所存数据是“0”还是“1”。

2、磁随机存储器具有无限的读写次数、写入速度快、功耗低和和良好的传统工艺兼容性等优势，因此被业界认为是构建下一代非易失性缓存和主存的潜在存取器件之一。此外，由于其存储单元具有天然的抗辐射特性，磁随机存储器具有极高的空间应用价值。然而，磁随机存储器的外围电路为使用传统工艺的晶体管，这些晶体管仍会受到空间辐射环境中的质子、电子、重离子等高能粒子的影响而产生辐射效应，进而导致功能失效。

3、目前，磁随机存储器外围电路中晶体管的单粒子翻转一直是制约其空间应用的重要因素。因此，亟需一种方法来解决磁随机存储器的单粒子翻转，消除上述影响，对于磁随机存储器的空间应用具有重要意义。

技术实现思路p>

1、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单粒子翻转加固的磁随机存储器读取电路，其特征在于，包括：磁隧道结MTJ1、磁隧道结MTJ2、NMOS管N1～N9和PMOS管P1～P8；

2.如权利要求1所述的单粒子翻转加固的磁随机存储器读取电路，其特征在于，所述磁隧道结MTJ1和MTJ2的生长结构为铁磁层-非磁绝缘层-铁磁层，且存储数据的方式利用铁磁层平行与非平行时电阻值不同。

3.如权利要求1所述的单粒子翻转加固的磁随机存储器读取电路，其特征在于，在数据读取前，时钟信号控制下，PMOS管P1、NMOS管N1、NMOS管N7、NMOS管N8、PMOS管P2和NMOS管N2开启，NMOS管N7的漏极和NM...

【技术特征摘要】

1.一种单粒子翻转加固的磁随机存储器读取电路，其特征在于，包括：磁隧道结mtj1、磁隧道结mtj2、nmos管n1～n9和pmos管p1～p8；

2.如权利要求1所述的单粒子翻转加固的磁随机存储器读取电路，其特征在于，所述磁隧道结mtj1和mtj2的生长结构为铁磁层-非磁绝缘层-铁磁层，且存储数据的方式利用铁磁层平行与非平行时电阻值不同。

3.如权利要求1所述的单粒子翻转加固的磁随机存储器读取电路，其特征在于，在数据读取前，时钟信号控制下，pmos管p1、nmos管n1、nmos管n7、nmos管n8、pmos管p2和nmos管n2开启，nmos管n7的漏极和nmos管n8的漏极同时被充电至vcc；放电时，磁隧道结mtj1和mtj2的电阻不同，放电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈加伟，殷亚楠，段鑫沛，杨沛，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：