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本发明公开一种单粒子翻转加固的磁随机存储器读取电路，属于非易失性存储器领域。在传统的6T读取电路上的基础上增加互锁的晶体管，同时引入PMOS管和NMOS管，可以有效地纠正单粒子翻转效应引起的错误。本发明有以下优点：考虑了单粒子效应敏感节点，...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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