【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑、存储器和模拟电路，其中存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例。随着半导体技术发展，对存储器件进行更为广泛的应用，需要将所述存储器件与其他器件区同时形成在一个芯片上，以形成嵌入式半导体存储装置。例如将所述存储器件内嵌置于中央处理器，则需要使得所述存储器件与嵌入的中央处理器平台进行兼容，并且保持原有的存储器件的规格及对应的电学性能。
2、一般地，需要将所述存储器件与嵌入的标准逻辑装置进行兼容。对于嵌入式半导体器件来说，其通常分为逻辑区和存储区，逻辑区通常包括逻辑器件，存储区则包括存储器件。随着存储技术的发展，出现了各种类型的半导体存储器，例如静态随机存储器(staticrandom access memory，sram)、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)、可擦除可编程只读存储器(erasable programmable read...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括相邻的第一子单元区和第二子单元区，沟道堆叠结构分别位于所述第一子单元区和第二子单元区的基底上；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，远离所述第一子单元区和第二子单元区交界处的所述第二源漏极，与位于其下方的所述第一源漏极相接触。
4.如权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，相接触的所述第二源漏极与所述第一源漏极为一体型结构。
5.如权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一源漏插塞，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括相邻的第一子单元区和第二子单元区，沟道堆叠结构分别位于所述第一子单元区和第二子单元区的基底上；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，远离所述第一子单元区和第二子单元区交界处的所述第二源漏极，与位于其下方的所述第一源漏极相接触。
4.如权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，相接触的所述第二源漏极与所述第一源漏极为一体型结构。
5.如权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一源漏插塞，位于远离所述第一子单元区和第二子单元区交界处的所述第二源漏极的顶部，所述第一源漏插塞与所述第二源漏极相电连接；
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一通孔互连结构，位于所述第一源漏插塞的顶部，且所述第一通孔互连结构与所述第一源漏插塞电连接；
7.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二源漏插塞，位于所述第一子单元区和第二子单元区的交界处，且与所述第一源漏极的端部相连接，且相邻所述第一子单元区和第二子单元区共用所述
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层的材料包括铜、铝、银和金中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三沟道层的材料包括非晶金属氧化物。
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，以与所述凹槽侧壁相垂直的方向为横向，所述凹槽的横向尺寸为10纳米至50纳米。
11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述基底表面的法线方向，所述凹槽的深度为10纳米至200纳米。
12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括相邻的第一子单元区和第二子单元区；
14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二源漏极的步骤中，所述第一子单元区中的其中一个第二源漏极与位于其下方的第一源漏极相接触，另一个第二源漏极与位于其下方的第一源漏极相互分立；
15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，远离所...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪刘建，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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