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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:第一栅极结构、第一沟道层以及第一源漏极构成下拉晶体管,第一栅极结构、第二沟道层以及第二源漏极构成上拉晶体管;栅极插塞,位于第一栅极结构的顶部,且栅极插塞与第一栅极结构电连接;介电层,位于基底顶部,且覆盖...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:第一栅极结构、第一沟道层以及第一源漏极构成下拉晶体管,第一栅极结构、第二沟道层以及第二源漏极构成上拉晶体管;栅极插塞,位于第一栅极结构的顶部,且栅极插塞与第一栅极结构电连接;介电层,位于基底顶部,且覆盖...