【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，特别是高纵横比纳米尺寸结构的生产，以及这些结构的机械属性的表征。
技术介绍
1、随着半导体加工中结构的持续小型化，像鳍或柱之类的高而窄的直立结构正被制造在晶片上。这些结构被称为高纵横比纳米尺寸结构，以下简称为纳米尺寸结构或纳米结构。例如，已知柱被生产成具有几纳米至几十纳米量级的直径和100纳米至10微米量级的高度，即纵横比高于10:1。对于宽度是几纳米或几十纳米量级的鳍形结构，可以获得类似的纵横比。对于这样的结构，弯曲刚度是重要的机械属性，因为它决定了结构在经过各种工艺步骤期间的完整性。
2、例如，在湿法清洁工艺中，由冲洗液体施加的表面张力经常会导致布置成规则阵列的高纵横比纳米结构的坍塌。这种现象通常被称为图案坍塌。已经确定，结构的机械刚度与图案坍塌率之间存在相关性，图案坍塌率是表示给定阵列中已坍塌的结构的数量的值。
3、通过应用破坏性方法，诸如通过聚焦离子束(fib)从阵列中选择性地去除一结构、然后在透射电子显微镜(tem)中测量力和偏转关系，来确定各个体结构的弯曲刚度是可能的。然而，...
【技术保护点】
1.一种用于评估被布置在半导体基板(1)的相应多个不同区域中通过光刻和蚀刻产生的多个测试图案中的高纵横比纳米尺寸结构(5)的弯曲刚度的方法，每一测试图案包括所述结构(5)的规则阵列，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，定义所述阵列的一个或多个参数表现出在所述基板(1)的相应不同区域中产生的不同测试图案之间的变异，并且其中所述束条件被配置成使得所述变异导致所述坍塌率的对应变异。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，表现出变异的所述一个或多个参数是以下中的一者或多者：所述结构(5)的平面内尺寸、所述结构(5)的高...
【技术特征摘要】
1.一种用于评估被布置在半导体基板(1)的相应多个不同区域中通过光刻和蚀刻产生的多个测试图案中的高纵横比纳米尺寸结构(5)的弯曲刚度的方法，每一测试图案包括所述结构(5)的规则阵列，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，定义所述阵列的一个或多个参数表现出在所述基板(1)的相应不同区域中产生的不同测试图案之间的变异，并且其中所述束条件被配置成使得所述变异导致所述坍塌率的对应变异。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，表现出变异的所述一个或多个参数是以下中的一者或多者：所述结构(5)的平面内尺寸、所述结构(5)的高度、所述结构的材料、所述阵列中相邻结构之间的间隙。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述束条件被配置成匹配能应用于所述基板(1)上的半导体工艺在所述阵列中的结构的坍塌率方面的效果。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述测试图案中的所述阵列是基于由以一个或多个平面内设计尺寸来表征的结构阵列形成的相同设计图案来产生的，并且其中所述测试图案是通过应用相同的蚀刻配方来产生的。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，分别在所述基板(1)的所述多...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐秀梅，G·F·洛鲁索，
申请(专利权)人：IMEC非营利协会，
类型：发明
国别省市：
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