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本发明使得能够评估被布置在半导体基板的相应多个不同区域中通过光刻和蚀刻产生的多个测试图案中的高纵横比纳米尺寸结构(5)的弯曲刚度。每个测试图案包括所述高纵横比结构的至少一个规则阵列。该方法包括：通过根据针对每一阵列而言相同的一组束条件产生的...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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