【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、mim(metal insulator metal，金属-绝缘层-金属)电容作为半导体器件中的重要组成部分，具有较高的q值和线性度、较小的损耗、较高的耐受电压等优点，在射频集成电路和混合集成电路中被广泛应用。
2、现有的mim电容结构如图1所示，其包括下极板10a、上极板30a、位于上极板30a和下极板10a之间的介质层20a，并通过同一侧设置的导通孔实现上、下极板与其他金属层的互连，其它金属层的连接通孔则通过高深宽比刻蚀实现。然而，在其制造工艺中，通常存在以下问题：
3、1、当采用微通道互连技术连接下极板时，为了避免微通道的刻蚀过程对介质层造成损伤进而导致电容漏电流的风险，通常会将下极板的右端超出上极板的右端较大距离，但这会导致电容容值浪费，降低电容的容值。
4、2、mim电容通常会生长在两层金属层之间，由于上、下极板对平整度的需求，以及对mim结构的需要，两层金属层之间的厚度通常会达到6ka以上。因此，实现互连的微通...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述下极板靠近所述暴露区的一端超出所述上极板靠近暴露区的一端，形成超出区，所述超出区的长度小于所述上极板长度的20％。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述超出区的长度小于所述上极板长度的10％。
4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，覆盖在所述超出区上的介质层的厚度小于所述上极板和下极板之间的介质层的厚度。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述上极板和下极板的材质包括：氮化钛。
6.如权利要求1所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述下极板靠近所述暴露区的一端超出所述上极板靠近暴露区的一端，形成超出区，所述超出区的长度小于所述上极板长度的20％。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述超出区的长度小于所述上极板长度的10％。
4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，覆盖在所述超出区上的介质层的厚度小于所述上极板和下极板之间的介质层的厚度。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述上极板和下极板的材质包括：氮化钛。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的材质为高介电材料，包括：氧化铝、氧化铪、氧化锆中的任意一种。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离层和第二隔离层的材质包括：正硅酸乙酯。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层和第一隔离层之间还包括一刻蚀停止层。
9.如权利要求8所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡书怀，陈林，
申请(专利权)人：格科半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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