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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括：半导体结构，其上方形成有第一金属层；第一隔离层，其覆盖第一金属层；MIM电容结构，包括：下极板、介质层和上极板，下极板覆盖部分第一隔离层，使第一隔离层表面形成暴露区，介质层覆盖下极板，上...
该专利属于格科半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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