【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种图案化方法。
技术介绍
1、随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，半导体器件的设计也必须符合高积集度及高密度的要求。对于具备凹入式栅极结构的动态随机存取存储器(dynamicrandomaccess memory，dram)而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的动态随机存取记忆体。一般来说，具备凹入式栅极结构的动态随机存取存储器是由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成阵列区，用来存储信息，而每一个存储单元可由晶体管组件与电容器组件串联组成，以接收来自字线(wordline，wl)及位线(bitline，bl)的电压信息。因应产品需求，所述阵列区中的存储单元密度须持续提升，造成相关制作工艺与设计上的困难度与复杂度不断增加。因此，现有技术或结构还待进一步改良以有效提升相关存储器件的效能及可靠度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供...
【技术保护点】
1.一种图案化方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，在移除所述柱状掩膜结构中的所述第三掩膜层的过程中，还同步移除了所述第一区上靠近所述第二区的所述第一掩膜层，以形成凹槽。
3.如权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，在移除所述柱状掩膜结构中的所述第三掩膜层的过程中，还同步移除了所述第二区上的所述侧壁层。
4.如权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，以所述第二光阻层为掩膜，去除与所述开口对应的所述柱状掩膜结构中的所述第二掩膜层和其下方的所述第一掩膜层的过程中，还同步去除了相邻所述柱状掩膜结构之间的
【技术特征摘要】
1.一种图案化方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，在移除所述柱状掩膜结构中的所述第三掩膜层的过程中，还同步移除了所述第一区上靠近所述第二区的所述第一掩膜层，以形成凹槽。
3.如权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，在移除所述柱状掩膜结构中的所述第三掩膜层的过程中，还同步移除了所述第二区上的所述侧壁层。
4.如权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，以所述第二光阻层为掩膜，去除与所述开口对应的所述柱状掩膜结构中的所述第二掩膜层和其下方的所述第一掩膜层的过程中，还同步去除了相邻所述柱状掩膜结构之间的所述第一掩膜层。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：刘利晨，许培育，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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