微发光二极管芯片及制备方法技术

本申请涉及一种微发光二极管芯片及制备方法。所述制备方法包括：提供外延片；在所述外延片的表面形成电流扩展膜；在所述电流扩展膜背离所述外延片的表面形成第一光阻图案，所述第一光阻图案显露所述电流扩展膜的周缘；及以所述第一光阻图案为掩膜对所述电流扩展膜及所述外延片进行蚀刻，以去除所述电流扩展膜未被所述第一光阻图案覆盖的部分以形成电流扩展层，且去除所述外延片邻近所述电流扩展膜且未被所述第一光阻图案覆盖的部分以在所述外延片上形成台阶结构，其中，所述电流扩展层相较于所述台阶结构的侧边内缩，且内缩的尺寸W0满足：0.5μm＜W0≤4μm。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光学元件领域，具体涉及一种微发光二极管芯片及制备方法。

技术介绍

1、随着技术的发展，发光二极管芯片得到了越来越广泛地应用。发光二极管芯片被广泛应用于手机、平板电脑等电子设备中。微发光二极管(micro led)芯片由于自发光和低功耗等优点，有待成为新的发展方向。然而，相关技术中的微发光二极管的发光效率有待提升。

技术实现思路

1、第一方面，本申请提供了一种微发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：

2、提供外延片；

3、在所述外延片的表面形成电流扩展膜；

4、在所述电流扩展膜背离所述外延片的表面形成第一光阻图案，所述第一光阻图案显露所述电流扩展膜的周缘；及

5、以所述第一光阻图案为掩膜对所述电流扩展膜及所述外延片进行蚀刻，以去除所述电流扩展膜未被所述第一光阻图案覆盖的部分以形成电流扩展层，且去除所述外延片邻近所述电流扩展膜且未被所述第一光阻图案覆盖的部分以在所述外延片上形成台阶结构，其中，所述电流扩展层相较于所述台阶结构的侧边内缩，且内缩的尺寸w本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述以所述第一光阻图案为掩膜对所述电流扩展膜及所述外延片进行蚀刻，包括：

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述以所述第一光阻图案为掩膜，对所述电流扩展膜及所述外延片进行第一等离子体蚀刻，包括：

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，其中，所述外延片包括衬底及背离所述衬底的P型层；所述在所述外延片的表面形成电流扩展膜，包括：

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述外延片包括衬底及背离所述衬底的P型层；所述...

【技术特征摘要】

1.一种微发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述以所述第一光阻图案为掩膜对所述电流扩展膜及所述外延片进行蚀刻，包括：

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述以所述第一光阻图案为掩膜，对所述电流扩展膜及所述外延片进行第一等离子体蚀刻，包括：

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，其中，所述外延片包括衬底及背离所述衬底的p型层；所述在所述外延片的表面形成电流扩展膜，包括：

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述外延片包括衬底及背离所述衬底的p型层；所述在所述外延片的表面形成电流扩展膜，包括：

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

7.一种微发光二极管芯片，其特征在于，所述微发光二极管芯片包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：杨保华，乔世祥，
申请(专利权)人：武汉市博威通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：