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本申请涉及一种微发光二极管芯片及制备方法。所述制备方法包括：提供外延片；在所述外延片的表面形成电流扩展膜；在所述电流扩展膜背离所述外延片的表面形成第一光阻图案，所述第一光阻图案显露所述电流扩展膜的周缘；及以所述第一光阻图案为掩膜对所述电流扩...
该专利属于武汉市博威通科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉市博威通科技有限公司授权不得商用。

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