薄膜沉积装置及薄膜沉积方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示了一种薄膜沉积装置，当一次薄膜沉积结束后，旋转机构驱动加热托盘带动基板一并从第一位置旋转至第二位置，旋转完成后，加热托盘与基板分离，由支撑环承托基板，旋转机构驱动加热托盘旋转至第三位置，支撑环与基板保留在第二位置，加热托盘与基板接触后进行下一次薄膜沉积。本发明专利技术补偿了基板上沉积的薄膜厚度的不均匀，实现了PECVD层堆栈结构薄膜沉积的均匀性和稳定性，避免了基板上沉积的薄膜在后续刻蚀工艺过程中刻蚀通孔偏离垂直方向的现象，从而进一步保证了半导体器件性能的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种薄膜沉积装置及薄膜沉积方法。

技术介绍

1、在等离子体增强化学气相沉积(pecvd)的真空处理腔室中，不同材料的层堆栈结构沉积至基板上。其中，将基板放到真空处理腔室中，首先将第一处理气体通入，用于在基板上形成第一层的第一材料；然后进行等离子体净化及气体净化，继而，再将第二处理气体通入，用于在基板上形成第二层的第二材料。重复上述的等离子体净化及气体净化，并且将第一材料和第二材料堆叠沉积在基板上，形成层堆栈结构的薄膜。其中，三维(3d)存储可由沉积在基板上的交替薄膜材料的层堆栈结构制成。

2、目前，3d存储使用氧化物与氮化物膜的交替层通过相关工艺实现在三维结构中达到储存数据的目的。这些堆栈结构可包括多层第一材料和第二材料，例如超过300层甚至500层的持续堆栈。

3、具体地，有些情况下3d存储堆栈的薄膜材料中的第一材料和第二材料堆栈结构可以是氧化物和硅、硅和掺杂硅、或者硅和氮化物。相应地，这些材料组合的3d存储堆栈的薄膜材料大多可应用于bics(bit-cost scalable)、tcat(万亿比本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述第三位置与所述第一位置相同。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述支撑环内径大于基板支撑部的外径。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述支撑轴与支撑环非固定连接。

5.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述基板支撑部与所述边缘部的表面高度差与所述支撑环厚度相同。

6.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述支撑环厚度为0.3-0.7mm。

7.根据权利要求1所述的薄...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述第三位置与所述第一位置相同。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述支撑环内径大于基板支撑部的外径。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述支撑轴与支撑环非固定连接。

5.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述基板支撑部与所述边缘部的表面高度差与所述支撑环厚度相同。

6.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述支撑环厚度为0.3-0.7mm。

7.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述支撑环与所述支撑轴固定连接。

8.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述基板支撑部与所述边缘部的表面高度差为1.5-2.9mm。

9.根据权利要求8所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述支撑环厚度为0.3-0.7mm。

10.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述旋转机构驱动所述加热托盘带动基板一并旋转时，所述支撑环与加热托盘和基板保持在非接触状态。

11.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的薄膜沉积方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晖，张山，成康，戴明宇，金京俊，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：