一种半导体激光芯片制造技术

本技术涉及半导体光电器件的技术领域，尤其涉及一种半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层，通过光刻工艺，将上包覆层刻蚀至距离电子阻挡层约5～500nm，刻出激光的脊，再在脊上方制备接触电极；所述脊具有左侧的第一刻蚀界面和右侧的第二刻蚀界面，所述第一刻蚀界面和第二刻蚀界面呈不规则曲线分布或弧形分布或线性分布。本技术通过控制脊的变化角度，控制弯折角的曲线和弧度，减少载流子泄漏，降低光场泄漏和杂散光，减少干扰FFP远场图像质量，提升光束质量因子。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体光电器件的，尤其涉及一种半导体激光芯片。

技术介绍

1、激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体紫外激光器具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。

2、激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别，

3、1)激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在w级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在mw级；

4、2)激光器的使用电流密度达ka/cm2，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏、更严重的俄歇复合、极化效应更强、电子空穴不匹配更严重，导致更严重的效率衰减droop效应；

5、3)发光二极管自发跃迁辐射，无外界作用，从高能级跃迁到低能级的非相干光，而激光器为受激跃迁辐射，感应光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底(100)、下包覆层(101)、下波导层(102)、有源层(103)、上波导层(104)、电子阻挡层(105)、上包覆层(106)，其特征在于，通过光刻工艺，将上包覆层(106)刻蚀至距离电子阻挡层(105)5～500nm，刻出激光的脊(107b)，再在脊(107b)上方制备接触电极(108)；所述脊(107b)具有左侧的第一刻蚀界面(109)和右侧的第二刻蚀界面(110)，所述第一刻蚀界面(109)和第二刻蚀界面(110)呈不规则曲线分布或弧形分布或线性分布。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光芯片，其特征在于，所述第一刻蚀界...

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底(100)、下包覆层(101)、下波导层(102)、有源层(103)、上波导层(104)、电子阻挡层(105)、上包覆层(106)，其特征在于，通过光刻工艺，将上包覆层(106)刻蚀至距离电子阻挡层(105)5～500nm，刻出激光的脊(107b)，再在脊(107b)上方制备接触电极(108)；所述脊(107b)具有左侧的第一刻蚀界面(109)和右侧的第二刻蚀界面(110)，所述第一刻蚀界面(109)和第二刻蚀界面(110)呈不规则曲线分布或弧形分布或线性分布。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光芯片，其特征在于，所述第一刻蚀界面(109)和第二刻蚀界面(110)呈不规则曲线分布，不规则曲线分布往脊(107b)中心凸起；所述脊的第一刻蚀界面(109)的不规则曲线分布凸起峰值位置往脊(107b)下表面的变化角度为α，所述脊的第一刻蚀界面(109)的不规则曲线分布凸起峰值位置往脊(107b)上表面的变化角度为β，所述脊的第二刻蚀界面(110)的不规则曲线分布凸起峰值位置往脊(107b)下表面的变化角度为δ，所述脊的第二刻蚀界面(110)的不规则曲线分布凸起峰值位置往脊(107b)上表面的变化角度为γ，其中：30°≤δ≤α≤γ≤β≤90°。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光芯片，其特征在于，所述第一刻蚀界面(109)和第二刻蚀界面(110)呈线性分布；所述脊的第一刻蚀界面(109)与脊下表面的夹度为φ，所述脊的第一刻蚀界面(109)与脊(107b)上表面的夹角为ψ，所述脊的第二刻蚀界面(110)与脊(107b)下表面的夹度为ρ，所述脊的第一刻蚀界面(109)与脊(107b)上表面的夹角为θ，其中：100°≤θ≤ψ≤ρ≤φ≤180°。

4.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，张江勇，李晓琴，胡志勇，陈婉君，蔡鑫，王星河，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：