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本技术涉及半导体光电器件的技术领域，尤其涉及一种半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层，通过光刻工艺，将上包覆层刻蚀至距离电子阻挡层约5～500nm，刻出激光的脊，再在脊上方制备接触...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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