【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路制造，具体涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
1、对于cmos器件(例如工作电压为7v)的制作，市场要求低成本、高性价比的工艺平台。在保证7v cmos器件栅极尺寸和5v cmos器件栅极尺寸不变情况下，在正常逻辑工艺基础上节省至少需要两道光罩，对晶圆加工厂逻辑工艺具有很大挑战。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的形成方法，在低成本、高性价比工艺平台加工，将n阱离子注入与p型漏极轻掺杂离子注入共用同一光罩，n型漏极轻掺杂采用无掩膜离子注入，节省了形成n阱和n型漏极轻掺杂这两道工艺的光罩。保留两道ldd离子注入的工艺下，优先保证nmos管的热载流子效应性能，大幅降低了衬底漏电流，通过可靠性测试。
2、本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：
3、步骤s1、提供衬底，所述衬底上通过浅沟槽隔离定义第一有源区和第二有源区；
4、步骤s2、执行所述第一有源区的p阱离子注入；
5、步骤s3、形成栅...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，步骤S3具体包括：
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，步骤S5具体包括：
5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，
6.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，
7.如权利要求1至6任意一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件的工作电压包括：7V或者5V。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，步骤s3具体包括：
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，步骤s5具体包括：
5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：顾文斌，胡君，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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