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本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；执行第一有源区的P阱离子注入；在第一有源区的衬底上形成第一栅极层；在第二有源区的衬底上形成第二栅极层；执行无掩膜N型漏极轻掺杂离子注入；同一光罩下执行第二有源区的N阱离子注入和P型漏极轻掺...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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