【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及半导体技术。更特定来说，本公开涉及可用于提供静电放电(esd)保护的半导体装置结构。
技术介绍
1、包含鳍式场效应晶体管(finfet)，且更明确来说，包含横向扩散金属氧化物半导体(ldmos)的半导体装置结构可用于高功率应用，例如用于无线电及无线通信系统的功率放大器、射频(rf)放大器及功率晶体管。随着对高功率应用的需求增加，研发工作继续推进半导体技术，以满足代工厂的制造能力及容量且增强各种电子装置及电路的功能性。
技术实现思路
1、在一个方面中，本公开提供一种半导体装置，其包括：鳍片，其包括无掺杂区域、第一掺杂区域、第二掺杂区域及定位在所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域之间的第三掺杂区域；栅极，其安置在所述鳍片的所述无掺杂区域上；硅化物层，其安置在所述鳍片的所述第三掺杂区域上；及互连件，其安置在所述硅化物层上以形成漏极。
2、在另一方面中，本公开提供一种电路，其包括：衬底；及半导体装置，其包括：鳍片，其包括无掺杂区域、第一掺杂区域、第二掺杂区域及定位在所述第...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述互连件未与所述第一掺杂区域或所述第二掺杂区域接触。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第三掺杂区域的高度大于所述无掺杂区域的高度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一掺杂区域与所述第三掺杂区域之间的距离及所述第二掺杂区域与所述第三掺杂区域之间的距离的差是在1微微米与5纳米之间。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述鳍片包括定位在所述第一掺杂区域与所述第四掺杂区域
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述互连件未与所述第一掺杂区域或所述第二掺杂区域接触。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第三掺杂区域的高度大于所述无掺杂区域的高度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一掺杂区域与所述第三掺杂区域之间的距离及所述第二掺杂区域与所述第三掺杂区域之间的距离的差是在1微微米与5纳米之间。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述鳍片包括定位在所述第一掺杂区域与所述第四掺杂区域之间的沟槽。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述鳍片的高度是在35纳米与60纳米之间。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中安置在所述鳍片的所述无掺杂区域上的所述栅极的长度是在200纳米与1微米之间。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置的操作电压是在1伏与15伏之间。
10.根据权利要求6...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘清，
申请(专利权)人：安华高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。