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本公开涉及一种具有静电放电保护的半导体装置。一种可在静电放电保护方面提供优势的半导体装置，例如鳍式场效应晶体管FinFET。所述半导体装置包含具有无掺杂区域、第一掺杂区域、第二掺杂区域及定位在所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域之间的第三掺杂...
该专利属于安华高科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安华高科技股份有限公司授权不得商用。

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