【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及内嵌mim结构的esd保护器件、制备方法。
技术介绍
1、电路系统中会频繁遭受esd(electrostatic discharges静电放电)现象的攻击，esd现象来源于电路系统外部，系统电源开启和关断，静电接触，旁路关断引起的过载电流和电压等等。会对电路系统电路造成不可逆的损坏，易受损坏的部件通常有mos功率器件、三极管和集成电路(ic，integrated circuit)。电路系统也会时常受到emi现象的危害，emi会在电路系统内部生成尖峰电压和电磁干扰，同样的也会对灵敏ic造成不可逆的损坏或者影响电路正常的工作。
2、esd保护器件(简称esd器件)被广泛地使用在电路的保护中，esd器件具有大的电流泄放能力，能够在极短的时间内把电压钳位在安全区间使核心电路处于正常的工作状态。
3、常规的esd器件起到保护电路的实现方式是esd器件和被保护的电路并联，当受到外部静电浪涌冲击时，短时间内二极管反向击穿提供一个大的电流通路，确保被保护的电路仍能正常工作。当大的电磁干扰(emi...
【技术保护点】
1.一种内嵌MIM结构的ESD保护器件，所述ESD保护器件为横向ESD保护器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的内嵌MIM结构的ESD保护器件，其特征在于，ESD保护器件为单向低电容ESD保护器件。
3.根据权利要求1所述的内嵌MIM结构的ESD保护器件，其特征在于，所述ESD结构包括：硅衬底、位于硅衬底上的N型外延层、位于N型外延层中P型轻掺杂区、位于N型外延层中的第一SN区、位于N型外延层中的第一SP区、位于P型轻掺杂区中的第二SN区、用于避免二极管之间相互干扰的隔离槽，所述隔离槽贯穿N型外延层且槽底位于硅衬底中。
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【技术特征摘要】
1.一种内嵌mim结构的esd保护器件，所述esd保护器件为横向esd保护器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的内嵌mim结构的esd保护器件，其特征在于，esd保护器件为单向低电容esd保护器件。
3.根据权利要求1所述的内嵌mim结构的esd保护器件，其特征在于，所述esd结构包括：硅衬底、位于硅衬底上的n型外延层、位于n型外延层中p型轻掺杂区、位于n型外延层中的第一sn区、位于n型外延层中的第一sp区、位于p型轻掺杂区中的第二sn区、用于避免二极管之间相互干扰的隔离槽，所述隔离槽贯穿n型外延层且槽底位于硅衬底中。
4.根据权利要求3所述的内嵌mim结构的esd保护器件，其特征在于，第一sn区、第一sp区和第二sn区均为两个，一个第一sn区和一个第一sp区位于p型轻掺杂区的一侧，用于构成第一二极管，另一个第一sn区和另一个第一sp区位于p型轻掺杂区的另一侧，用于构成第二二极管，两个第二sn区和p型轻掺杂区用于构成一个雪崩二极管。
5.根据权利要求4所述的内嵌mim结构的esd保护器件，其特征在于，一个第一sp区、一个第一sn区、一个第二sn区、另一个第二sn区、另一个第一sp区和另一个第一sn区顺次设置，所述一个第一sn区电连接所述一个第二sn区，所述另一个第二sn区电连接所述另一个第一sp区。
6.根据权利要求3至5任一项所述的内嵌mim结构的esd保护器件，其特征在于，所述mim电容结构包括：填充隔离槽的隔离槽填充区，位于esd结构和隔离槽填充区上的层间绝缘层、位于层间绝缘层中的接触孔、填充接触孔的接触孔金属填充区、位于层间绝缘层和接触孔金属填充区上的第一金属层、在第一金属层上且对应esd结构未使用区域的介电质层、位于介电质层上的上极板、位于上极板上的介质层、位于介质层中的第一金属柱、位于介质层中的第二金属柱、位于介质层上的第四金属层、位于介质层和第四金属层上的钝化层；所述接触孔一端接触第一sn区、第一sp区和第二sn区，所述接触孔另一端接触第一金属层，所述第一金属层对应esd结构未使用区域和接触孔金属填充区设置，所述介质层还位于层间绝缘层上，所述第一金属柱的底端接触第一金属层、顶端接触第四金属层，所述第二金属柱的底端接触上极板、顶端接触第四金属层。
7.根据权利要求6所述的内嵌mim结构的esd保护器件，其特征在于，所述上极板包括位于介电质层上的第二金属层...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏，郭富饶，欧新华，袁琼，戴维，
申请(专利权)人：上海芯导电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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