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本发明提供了一种内嵌MIM结构的ESD保护器件，包括：ESD结构；位于ESD结构未使用区域上的MIM电容结构。ESD保护器件为横向ESD保护器件。所述MIM电容结构包括位于ESD结构和隔离槽填充区上的层间绝缘层、位于层间绝缘层中的接触孔、填...
该专利属于上海芯导电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯导电子科技股份有限公司授权不得商用。

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