【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶生长后处理装置,尤其涉及一种用于硅压力传感器tmah腐蚀槽匀流板及其应用的腐蚀槽。
技术介绍
1、tmah清洗区是制备压力传感器的关键设备,其主要目的是通过化学反应去腐蚀硅,达到制备高精度敏感膜片的目的。膜片用来感受外部压力变化,从而改变电阻值,达到检测压力的作用。因此膜片厚度的均匀性直接影响了器件测量压力的精准性。
2、现有槽式设备的匀流板主要是用于半导体领域的清洗工艺,例如公告号为cn217043763u、cn207250546u和cn202989355u的中国技术专利,公开了一种用于光伏领域清洗工艺的匀流板,这类工艺对匀流板及流场一致性要求较低,因此该匀流板不能用于压力传感器敏感膜片的制备要求。
3、而且匀流板安装在清洗区内,清洗区的底部一般设有进液孔,tmah(四甲基氢氧化铵)通过进液孔后通过匀流板的匀流孔对压力传感器膜片进行清洗,由于匀流板上有多个匀流孔,一般情况下进液孔只有一个两个,一般情况下与进液孔相对的匀流孔内排出的tmah的流场相对大一点,因此,在一定程度上影响流场的一致性。<
...【技术特征摘要】
1.一种用于硅压力传感器tmah腐蚀槽匀流板,包括板体(1),所述板体(1)上开有匀流孔(2),板体(1)安装在腐蚀槽内,且腐蚀槽的底部有进液孔(3),进液孔(3)与板体(1)相对,其特征在于,所述板体(1)的底部安装有与进液孔(3)相对的辅助匀流盘(4);
2.根据权利要求1所述的用于硅压力传感器tmah腐蚀槽匀流板,其特征在于,所述盘体(41)外径大于所述进液孔(3)的孔径。
3.根据权利要求1所述的用于硅压力传感器tmah腐蚀槽匀流板,其特征在于,所述辅助匀流盘(4)至少设有两组,至少两组所述辅助匀流盘(4)周向分布在所述进液孔(3)的轴线外。
4.根据权利要求3所述的用于硅压力传感器tmah腐蚀槽匀流板,其特征在于,至少两组所述辅助匀流盘(4)的盘体(41)沿所述进液孔(3)的轴线方向分布。
5.根据权利要求3所述的用于硅压力传感器tmah腐蚀槽匀流板,其特征在于,所述盘体(41)的底端开有多个冲刷槽(410)。
6.根据权利要求3-5任意一项所述的用于硅压力传感器tmah腐蚀槽匀流板,其特征在于,所述盘体(41)的顶端设有沿其径向的搅拌凸起(5),且所述搅拌凸起(5)与位于...
【专利技术属性】
技术研发人员:张伟,姚健,唐秋菊,
申请(专利权)人:安徽华鑫微纳集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:
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