【技术实现步骤摘要】
本公开的多种实施例一般涉及堆叠型存储器件和其制造方法，更具体地，涉及被配置为减少泄漏的堆叠型存储器件和制造该堆叠型存储器件的方法。
技术介绍
1、为了满足客户所要求的良好性能和低价格，需要进一步提高半导体器件的集成度(也称为集成密度)。
2、半导体器件的集成度可以是用于确定产品价格的一个重要因素。二维或平面半导体器件的集成度主要由单位存储单元的占用面积确定。此外，单位存储单元的占用面积取决于用于形成精细图案的可用技术。
3、特别地，精细图案可以使用昂贵的曝光装置或高分辨率的曝光装置来形成。因此，提高二维半导体器件的集成度可能存在限制。
4、因此，已开发了用于以三维结构布置存储单元和用于以三维结构堆叠存储单元阵列和外围电路块的技术。
5、然而，由于单位存储单元是垂直堆叠的，所以堆叠型半导体器件可能具有电荷泄漏增加的问题，这可能影响堆叠的存储单元的控制。与堆叠型半导体器件相关的这些和其他问题需要新的、更有效的解决方案来减少电荷泄漏和有效控制所堆叠的存储单元。
技术实...
【技术保护点】
1.一种堆叠型存储器件，包括：
2.如权利要求1所述的堆叠型存储器件，
3.如权利要求1所述的堆叠型存储器件，其中，所述选择开关包括：
4.如权利要求1所述的堆叠型存储器件，其中，所述存储单元阵列集成在第一结构中，所述泄漏控制块集成在与所述第一结构不同的第二结构中，所述外围电路块集成在与所述第一结构和所述第二结构不同的第三结构中，以及所述第一结构至所述第三结构彼此混合接合。
5.如权利要求4所述的堆叠型存储器件，其中，所述第二结构包括单晶半导体层，以及
6.如权利要求5所述的堆叠型存储器件，其中，所述单晶半导...
【技术特征摘要】
1.一种堆叠型存储器件，包括：
2.如权利要求1所述的堆叠型存储器件，
3.如权利要求1所述的堆叠型存储器件，其中，所述选择开关包括：
4.如权利要求1所述的堆叠型存储器件，其中，所述存储单元阵列集成在第一结构中，所述泄漏控制块集成在与所述第一结构不同的第二结构中，所述外围电路块集成在与所述第一结构和所述第二结构不同的第三结构中，以及所述第一结构至所述第三结构彼此混合接合。
5.如权利要求4所述的堆叠型存储器件，其中，所述第二结构包括单晶半导体层，以及
6.如权利要求5所述的堆叠型存储器件，其中，所述单晶半导体层位于所述栅极外部。
7.如权利要求6所述的堆叠型存储器件，其中，所述栅极绝缘层布置在所述栅极与所述单晶半导体层之间。
8.如权利要求1所述的堆叠型存储器件，其中，所述存储单元串包括在所述垂直方向上延伸且与堆叠的所述存储单元共同连接的位线接触。
9.如权利要求8所述的堆叠型存储器件，其中，所述存储单元中的每一个包括：
10.如权利要求1所述的堆叠型存储器件，其中，所述外围电路块包括列解码块，所述列解码块向从所述存储单元选择的存储单元提供驱动电压，以及所述选择开关与所述列解码块电连接。
11.如权利要求1所述的堆叠型存储器件，其中，当与所述选择开关连接的所述存储单元串中的所述存储单元中的存储单元被选择时，所述选择开关被导通；以及当与所述选择开关连接的所述存储单元串中的全部存储单元未被选择时，所述选择开关被关断。...
【专利技术属性】
技术研发人员：李秉镐，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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