量子效率测量装置以及量子效率测量方法制造方法及图纸

将作为量子效率的测量对象部的试样（ＯＢＪ１）以及具有已知的反射率特性的标准体（ＲＥＦ１）分别安装到设置于平面镜（５）的试样窗（２）上。根据在分别安装了试样（ＯＢＪ１）以及标准体（ＲＥＦ１）的情况下由光谱仪测量到的各个光谱来测量试样（ＯＢＪ１）的量子效率。通过使观测窗（３）的开口面与试样（ＯＢＪ１）或者标准体（ＲＥＦ１）的露出面实质上一致，抑制接受激发光（Ｌ１）而由试样（ＯＢＪ１）产生的荧光以及由试样（ＯＢＪ１）反射的激发光（Ｌ１）直接入射到观测窗（３）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于对测量对象物的量子效率进行测量的装置以及方法。
技术介绍
近年来，荧光灯、显示器的开发正在迅速发展。伴随着这种开发，作为更正确地评 价使用于该开发中的荧光体的性能的指标，量子效率受到关注。通常，量子效率意味着荧光 发光的光量子数相对于被测量对象物(典型为荧光体)吸收的光量子数的比例。作为对这种量子效率进行测量的典型的方法，在“大久保、重田「NBS標準蛍光体 ^量子効率O測定」”中公开了荧光体量子效率的测量光学系统。代替这种结构，在日本特 开平09-292281号公报(专利文献1)、日本特开平10-142152号公报(专利文献2)以及日 本特开平10-293063号公报(专利文献3)等中提出了用于测量量子效率的结构以及方法。在上述的现有技术所涉及的测量量子效率的装置中都使用积分球来捕捉从测量 对象物(荧光体)发出的荧光。通常，来自荧光体的荧光微弱，因此为了提高测量精确度， 最好使用具有更小直径的积分球。另外，在这种积分球内设置有遮光板，该遮光板用于抑制从荧光体发出的荧光和/ 或在荧光体表面上反射的激发光直接入射到检测器。专利文献1 日本特开平09-292281号公报专利文献2 日本特开平10-142152号公报专利文献3 日本特开平10-293063号公报非专利文献1 大久保、重田、「NB S標準蛍光体O量子効率O測定」、照明学会誌、 社団法人照明学会、1999年、第83卷、第2号、p. 87-9
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在使用直径更小的积分球的情况下，遮光板的光吸收的影响相对变大，有可 能给测量精确度带来不良影响。本专利技术是为了解决这种问题而完成的，其目的在于提供一种能够以更高精确度测 量量子效率的。用于解法问题的方案按照本专利技术的某个局面的量子效率测量装置包括半球部，其在内表面具有光漫 反射层；以及平面镜，其配置成通过半球部的实质上的曲率中心，并且堵住半球部的开口 部。平面镜包括第一窗和第二窗，该第一窗被设置在半球部的实质上的曲率中心的位置上， 用于安装测量对象物，该第二窗被设置在从第一窗离开规定距离的位置上。本量子效率测 量装置还包括光谱仪，其通过第二窗，对半球部内的光谱进行测量；光源，其通过被设置 在半球部上的第三窗，以相对于平面镜的法线的规定的角度向第一窗照射激发光；以及运 算处理部，其根据第一光谱和第二光谱来算出测量对象物的量子效率，其中，该第一光谱是在将测量对象物配置到第一窗的情况下由光谱仪测量得到的光谱，该第二光谱是在代替测 量对象物而将具有已知的反射率特性的标准体配置到第一窗的情况下由光谱仪测量得到 的光谱。优选的是，第二窗构成为能够将被测量物安装成被测量物的露出面实质上与平面 镜的半球部内侧的面一致。优选的是，第二窗包括配置在半球部的内部与光谱仪之间的光漫透射部件。按照本专利技术的另一局面的量子效率测量装置包括半球部，其在内表面具有光漫 反射层；以及平面镜，其配置成通过半球部的实质上的曲率中心，并且堵住半球部的开口 部。平面镜包括第一窗和第二窗，该第一窗设置在半球部的实质上的曲率中心附近，该第二 窗设置在从第一窗离开规定距离的位置上。本量子效率测量装置还包括光源，其通过第一 窗向配置成在半球部内至少露出其一部分的测量对象物照射激发光；以及光谱仪，其通过 第二窗对半球部内的光谱进行测量。第二窗抑制来自测量对象物的光直接入射到光谱仪。 本量子效率测量装置还包括运算处理部，该运算处理部根据第一光谱和第二光谱来算出测 量对象物的量子效率，其中，该第一光谱是在将测量对象物配置在半球部内的情况下由光 谱仪测量得到的光谱，该第二光谱是在代替测量对象物而将具有已知的反射率特性或者透 过率特性的标准体配置在半球部内的情况下由光谱仪测量得到的光谱。优选的是，第二窗是如下的开口 与半球部的内部侧的直径相比，半球部的外部侧 的直径较大。优选的是，半球部包括第三窗，该第三窗设置在与通过半球部的实质上的曲率中 心的平面镜的法线的交点的位置上，并且用于安装测量对象物以及标准体，光源被配置成 相对于平面镜的法线以规定的角度向第三窗照射激发光。优选的是，测量对象物是被封装到具有透光性的容器内的液体，被配置在光源的 光轴上。更优选的是，测量对象物的整体被容纳在半球部内。优选的是，半球部包括第三窗，该第三窗设置在与通过半球部的实质上的曲率中 心的平面镜的法线的交点的位置上，用于安装测量对象物以及标准体。第一窗设置在平面 镜上的半球部的实质上的曲率中心的位置上，测量对象物是被封装到筒状容器内的液体， 筒状容器的被安装到第三窗的面由具有透光性的材料构成，并且其它部位由具有光反射性 的部件构成。按照本专利技术的另一局面的量子效率测量方法包括以下步骤准备装置的步骤，该 装置包括内表面具有光漫反射层的半球部和被配置成通过半球部的实质上的曲率中心并 且堵住半球部的开口部的平面镜；将测量对象物安装在第一窗上的步骤，其中，该第一窗设 置在平面镜的包括半球部的实质上的曲率中心的位置上；通过设置在半球部上的第三窗以 相对于平面镜的法线的规定的角度向测量对象物照射激发光的步骤；通过第二窗测量安装 了测量对象物的情况下的半球部内的光谱作为第一光谱的步骤，其中，该第二窗设置在平 面镜的从第一窗离开规定距离的位置上；在第一窗上安装具有已知的反射率特性的标准体 的步骤；通过第三窗以相对于平面镜的法线的规定的角度向标准体照射激发光的步骤；通 过第二窗测量安装了标准体的情况下的半球部内的光谱作为第二光谱的步骤；以及根据第 一光谱和第二光谱来算出测量对象物的量子效率的步骤。5专利技术的效果根据本专利技术，能够以更高精确度对量子效率进行测量。 附图说明图1是与本专利技术的实施方式一相关的量子效率测量装置的概要结构图。图2是按照本专利技术的实施方式一的量子效率测量装置的外观图。图3是表示按照本专利技术的实施方式一的量子效率测量装置的主要部分的截面图。图4是用于说明按照本专利技术的实施方式一的量子效率测量装置的测量原理的图。图5是表示按照本专利技术的实施方式一的量子效率测量装置的运算处理部中的控 制结构的图。图6是表示使用了按照本专利技术的实施方式一的量子效率测量装置的量子效率测 量所涉及的处理过程的流程图。图7是表示按照本专利技术的实施方式一的第一变形例的量子效率测量装置中的光 谱仪以及光源的位置关系的俯视图。图8是表示按照本专利技术的实施方式一的第二变形例的量子效率测量装置的主要 部分的截面图。图9是表示按照本专利技术的实施方式二的量子效率测量装置的主要部分的截面图。图10是与本专利技术的实施方式三相关的量子效率测量装置的概要结构图。图11是表示按照本专利技术的实施方式三的量子效率测量装置的主要部分的截面 图。图12是表示按照本专利技术的实施方式三的量子效率测量装置的运算处理部中的控 制结构的图。图13是表示按照本专利技术的实施方式三的第一变形例的量子效率测量装置的主要 部分的截面图。图14是表示按照本专利技术的实施方式三的第二变形例的量子效率测量装置的主要 部分的截面图。图15是表示按照本专利技术的实施方式四的量子效率测量装置的主要部分的截面 图。附图标记说明UlA 半球部；Ia 光漫反射层；2、9 试样窗；3,13 观测窗；4、10、12 光源窗；5、 5A、5B、5C 平面镜；5a 反射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子效率测量装置，具备：半球部（１），在其内表面具有光漫反射层（１ａ）；平面镜（５），其配置成通过上述半球部的实质上的曲率中心，并且堵住上述半球部的开口部，其中，上述平面镜包括第一窗（２）和第二窗（３），该第一窗（２）设置在上述半球部的实质上的曲率中心的位置上，用于安装测量对象物，该第二窗（３）设置在从上述第一窗离开规定距离的位置上；光谱仪（６），其通过上述第二窗，对上述半球部内的光谱进行测量；光源（７），其通过被设置在上述半球部上的第三窗，以相对于上述平面镜的法线的规定的角度向上述第一窗照射激发光；以及运算处理部（２００），其根据第一光谱和第二光谱来算出上述测量对象物的量子效率，其中，上述第一光谱是在将上述测量对象物配置在上述第一窗的情况下由上述光谱仪测量得到的光谱，上述第二光谱是在代替上述测量对象物而将具有已知的反射率特性的标准体配置在上述第一窗的情况下由上述光谱仪测量得到的光谱。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：大久保和明，
申请(专利权)人：大塚电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]